SI4936DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。其小型化的封裝形式(DFN8 3x3)使其非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
該型號特別適合高� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及同步整流等應(yīng)用場景,同時支持高達 30V 的連續(xù)漏極電壓�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�22A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�27nC(典型值)
輸入電容�1020pF(典型值)
功耗:23W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:DFN8�3x3mm�
SI4936DY-T1-E3 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少功率損耗并提升效率�
2. 高效的開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場��
3. 小型化封裝設(shè)�,在緊湊型電路板布局中表�(xiàn)出色�
4. 工作溫度范圍寬廣,能夠適�(yīng)惡劣的工作條��
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. �(nèi)� ESD 保護功能,提升了器件在實際應(yīng)用中的可靠��
這些特性使得該器件成為需要高�、高性能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 同步整流電路�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS��
4. 汽車電子�(shè)備中的負載開�(guān)�
5. 計算機和通信�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
6. LED 照明�(qū)動電��
由于其出色的性能,SI4936DY-T1-E3 在消費電�、工�(yè)控制和汽車電子等多個行�(yè)中都有廣泛應(yīng)��
SI4937DY, SI4938DY