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SI4936DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 8:45:21 查看 閱讀:34

SI4936DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及其他功率管理應(yīng)用。其封裝形式為 SO-8(PowerPAK? SO-8),具有出色的散熱特性和緊湊的設(shè)計。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:29A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷:15nC(典型值)
  總柵極電荷:27nC(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:SO-8

特性

SI4936DY-T1-GE3 使用先進(jìn)的 TrenchFET? 第三代工藝制造,具備以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高效的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 小巧的 PowerPAK? SO-8 封裝,便于在空間受限的應(yīng)用中使用。
  4. 支持大電流運行,滿足高性能功率轉(zhuǎn)換需求。
  5. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的使用。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。
  這些特性使得該器件成為眾多功率管理應(yīng)用的理想選擇,特別是在需要高效能與小尺寸設(shè)計的情況下。

應(yīng)用

SI4936DY-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. OR-ing 應(yīng)用中的理想二極管功能。
  3. 多種負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  4. 電機(jī)驅(qū)動與控制。
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
  6. 高效功率逆變器和光伏逆變器。
  由于其低導(dǎo)通電阻和高頻性能,這款 MOSFET 在提升系統(tǒng)效率和減小整體尺寸方面表現(xiàn)優(yōu)異。

替代型號

SI4938DY, SIH4936E

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