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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4936DY-T1-GE3

SI4936DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 8:45:21 查看 閱讀�34

SI4936DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和高效率性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及其他功率管理�(yīng)�。其封裝形式� SO-8(PowerPAK? SO-8�,具有出色的散熱特性和緊湊的設(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�29A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�15nC(典型值)
  總柵極電荷:27nC(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝類型:SO-8

特�

SI4936DY-T1-GE3 使用先�(jìn)� TrenchFET? 第三代工藝制�,具備以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高效的開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  3. 小巧� PowerPAK? SO-8 封裝,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
  4. 支持大電流運行,滿足高性能功率�(zhuǎn)換需��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  這些特性使得該器件成為眾多功率管理�(yīng)用的理想選擇,特別是在需要高效能與小尺寸�(shè)計的情況��

�(yīng)�

SI4936DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. OR-ing �(yīng)用中的理想二極管功能�
  3. 多種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)動與控制�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
  6. 高效功率逆變器和光伏逆變器�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高頻性能,這款 MOSFET 在提升系�(tǒng)效率和減小整體尺寸方面表�(xiàn)�(yōu)異�

替代型號

SI4938DY, SIH4936E

si4936dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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