時間：2025/5/12 8:45:21
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SI4936DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率性能，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及其他功率管理應(yīng)用。其封裝形式為 SO-8（PowerPAK? SO-8），具有出色的散熱特性和緊湊的設(shè)計。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：29A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時）
柵極電荷：15nC（典型值）
總柵極電荷：27nC（典型值）
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：SO-8
SI4936DY-T1-GE3 使用先進(jìn)的 TrenchFET? 第三代工藝制造，具備以下顯著特點：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠有效降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高效的開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 小巧的 PowerPAK? SO-8 封裝，便于在空間受限的應(yīng)用中使用。
4. 支持大電流運行，滿足高性能功率轉(zhuǎn)換需求。
5. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的使用。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠性高。
這些特性使得該器件成為眾多功率管理應(yīng)用的理想選擇，特別是在需要高效能與小尺寸設(shè)計的情況下。
SI4936DY-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. OR-ing 應(yīng)用中的理想二極管功能。
3. 多種負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 電機(jī)驅(qū)動與控制。
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
6. 高效功率逆變器和光伏逆變器。
由于其低導(dǎo)通電阻和高頻性能，這款 MOSFET 在提升系統(tǒng)效率和減小整體尺寸方面表現(xiàn)優(yōu)異。
SI4938DY, SIH4936E
