SI4948BEY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用小型化的 TSSOP-6 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�。它通常用于負載切換高效功率開關的應用場��
由于其低導通電阻特性,� MOSFET 能夠在高頻應用中提供更高效的功率轉換,并減少熱量的產(chǎn)生�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�5.2A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�7nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TSSOP-6
SI4948BEY-T1-E3 的主要特點是其非常低的導通電阻(Rds(on)�,這使其非常適合于需要高效功率傳�?shù)膽谩4送猓母唛_關速度能夠減少開關損�,在高頻條件下表�(xiàn)�(yōu)異。這款 MOSFET 支持邏輯電平�(qū)�,因此可以直接與大多�(shù)微控制器或數(shù)字電路接口使�,無需額外的驅(qū)動級。此�,它具備出色的熱�(wěn)定�,適用于惡劣的工作環(huán)境�
另外,由于采用了小型 TSSOP-6 封裝,該器件能夠節(jié)� PCB 空間,適合便攜式設備和其他空間受限的設計�
� MOSFET 常見于以下應用場景:
1. 電池供電設備中的負載開關
2. DC-DC 轉換器中的同步整�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�
4. 開關電源中的主開�
5. 保護電路中的電子保險�
6. 信號切換和多路復�
SI4446DY, SI4955DY