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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 8:47:01 查看 閱讀�23

SI4948BEY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用小型化的 TSSOP-6 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�。它通常用于負載切換高效功率開關的應用場��
  由于其低導通電阻特性,� MOSFET 能夠在高頻應用中提供更高效的功率轉換,并減少熱量的產(chǎn)生�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�5.2A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�7nC
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TSSOP-6

特�

SI4948BEY-T1-E3 的主要特點是其非常低的導通電阻(Rds(on)�,這使其非常適合于需要高效功率傳�?shù)膽谩4送猓母唛_關速度能夠減少開關損�,在高頻條件下表�(xiàn)�(yōu)異。這款 MOSFET 支持邏輯電平�(qū)�,因此可以直接與大多�(shù)微控制器或數(shù)字電路接口使�,無需額外的驅(qū)動級。此�,它具備出色的熱�(wěn)定�,適用于惡劣的工作環(huán)境�
  另外,由于采用了小型 TSSOP-6 封裝,該器件能夠節(jié)� PCB 空間,適合便攜式設備和其他空間受限的設計�

應用

� MOSFET 常見于以下應用場景:
  1. 電池供電設備中的負載開關
  2. DC-DC 轉換器中的同步整�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率開�
  4. 開關電源中的主開�
  5. 保護電路中的電子保險�
  6. 信號切換和多路復�

替代型號

SI4446DY, SI4955DY

si4948bey-t1-e3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4948bey-t1-e3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si4948bey-t1-e3�(chǎn)�

si4948bey-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI4948BEY
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 3.1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4948BEY-T1-E3TR