時間：2025/5/10 8:47:01
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SI4948BEY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用小型化的 TSSOP-6 封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點。它通常用于負載切換高效功率開關的應用場景。
由于其低導通電阻特性，該 MOSFET 能夠在高頻應用中提供更高效的功率轉換，并減少熱量的產(chǎn)生。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±8V
連續(xù)漏極電流：5.2A
導通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：7nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：TSSOP-6
SI4948BEY-T1-E3 的主要特點是其非常低的導通電阻（Rds(on)），這使其非常適合于需要高效功率傳輸?shù)膽谩４送猓母唛_關速度能夠減少開關損耗，在高頻條件下表現(xiàn)優(yōu)異。這款 MOSFET 支持邏輯電平驅(qū)動，因此可以直接與大多數(shù)微控制器或數(shù)字電路接口使用，無需額外的驅(qū)動級。此外，它具備出色的熱穩(wěn)定性，適用于惡劣的工作環(huán)境。
另外，由于采用了小型 TSSOP-6 封裝，該器件能夠節(jié)省 PCB 空間，適合便攜式設備和其他空間受限的設計。
該 MOSFET 常見于以下應用場景：
1. 電池供電設備中的負載開關
2. DC-DC 轉換器中的同步整流
3. 電機驅(qū)動電路中的功率開關
4. 開關電源中的主開關
5. 保護電路中的電子保險絲
6. 信號切換和多路復用
SI4446DY, SI4955DY
