SI4966DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET,采� TrenchFET? 第三代技�(shù)。該器件專為低導(dǎo)通電阻和高效率應(yīng)用設(shè)�,適合要求低損耗和高性能的電�。其封裝形式� PowerPAK? 1212-8,具備出色的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ
柵極電荷�21nC
輸入電容�1750pF
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝類型:PowerPAK? 1212-8
SI4966DY-T1-E3 采用了先進的 TrenchFET 技�(shù),使其具備極低的�(dǎo)通電�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提升整體效率�
該器件支持高� 25A 的連續(xù)漏極電流,能夠滿足大功率�(yīng)用的需��
由于采用� PowerPAK 封裝,它具有較低的熱阻和�(yōu)異的散熱能力,非常適合在高溫�(huán)境下工作�
此外,其快速開�(guān)性能使得 SI4966DY-T1-E3 在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場��
SI4966DY-T1-E3 廣泛�(yīng)用于多種高效能電力電子系�(tǒng)�,包括但不限于:
1. 筆記本電腦及臺式機電源適配器
2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
3. ORing 二極管替代方�
4. 電機�(qū)動電�
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
6. 負載切換和保護電�
其低 Rds(on) 和高電流處理能力使其成為這些�(yīng)用中的理想選��
SI4885DY, IRF7748PBF, FDP016N06L