時間：2025/6/9 9:03:08
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SI4966DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)。該器件專為低導(dǎo)通電阻和高效率應(yīng)用設(shè)計，適合要求低損耗和高性能的電路。其封裝形式為 PowerPAK? 1212-8，具備出色的熱性能和電氣性能。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：25A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ
柵極電荷：21nC
輸入電容：1750pF
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：PowerPAK? 1212-8
SI4966DY-T1-E3 采用了先進的 TrenchFET 技術(shù)，使其具備極低的導(dǎo)通電阻，從而減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率。
該器件支持高達 25A 的連續(xù)漏極電流，能夠滿足大功率應(yīng)用的需求。
由于采用了 PowerPAK 封裝，它具有較低的熱阻和優(yōu)異的散熱能力，非常適合在高溫環(huán)境下工作。
此外，其快速開關(guān)性能使得 SI4966DY-T1-E3 在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關(guān)等場景。
SI4966DY-T1-E3 廣泛應(yīng)用于多種高效能電力電子系統(tǒng)中，包括但不限于：
1. 筆記本電腦及臺式機電源適配器
2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
3. ORing 二極管替代方案
4. 電機驅(qū)動電路
5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
6. 負載切換和保護電路
其低 Rds(on) 和高電流處理能力使其成為這些應(yīng)用中的理想選擇。
SI4885DY, IRF7748PBF, FDP016N06L
