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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 18:08:40 查看 閱讀�20

SI4966DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET,基� Siliconix 技�(shù)。該器件采用 TrenchFET Gen III 工藝制�,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種高頻開關(guān)應用。它采用� TO-252 (DPAK) 封裝形式,適合表面貼裝工�,廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制領域�
  這款功率 MOSFET 專為提高效率和降低功耗而設計,能夠在較寬的電壓范圍�(nèi)提供�(wěn)定的性能�

參數(shù)

最大漏源電�(VDS)�60V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�18A
  導通電�(RDS(on))�12mΩ (典型值,� VGS=10V �)
  柵極電荷(Qg)�27nC
  反向恢復時間(trr)�31ns
  工作溫度范圍(TJ)�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-252 (DPAK)

特�

1. 極低的導通電� RDS(on),有助于降低導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,可滿足高頻應用需��
  3. 較小的柵極電� Qg 和反向恢復時� trr,優(yōu)化了動態(tài)性能�
  4. 寬工作溫度范�,適應各種嚴苛環(huán)��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
  6. 表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和焊��
  7. �(nèi)置靜電保護功能,提高了器件的可靠��

應用

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  3. >4. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)�
  5. LED �(qū)動器中的電流�(diào)節(jié)開關(guān)�
  6. 各類高頻功率�(zhuǎn)換應用中的核心元件�
  7. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的信號切換和功率傳��

替代型號

SI4957DY, SI4975DY, IRF7832, FDP066N06L

si4966dy-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4966dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 7.1A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)