SI4966DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET,基� Siliconix 技�(shù)。該器件采用 TrenchFET Gen III 工藝制�,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種高頻開關(guān)應用。它采用� TO-252 (DPAK) 封裝形式,適合表面貼裝工�,廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制領域�
這款功率 MOSFET 專為提高效率和降低功耗而設計,能夠在較寬的電壓范圍�(nèi)提供�(wěn)定的性能�
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
連續(xù)漏極電流(ID)�18A
導通電�(RDS(on))�12mΩ (典型值,� VGS=10V �)
柵極電荷(Qg)�27nC
反向恢復時間(trr)�31ns
工作溫度范圍(TJ)�-55°C � +175°C
封裝類型:TO-252 (DPAK)
1. 極低的導通電� RDS(on),有助于降低導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,可滿足高頻應用需��
3. 較小的柵極電� Qg 和反向恢復時� trr,優(yōu)化了動態(tài)性能�
4. 寬工作溫度范�,適應各種嚴苛環(huán)��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
6. 表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和焊��
7. �(nèi)置靜電保護功能,提高了器件的可靠��
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
3. >4. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)�
5. LED �(qū)動器中的電流�(diào)節(jié)開關(guān)�
6. 各類高頻功率�(zhuǎn)換應用中的核心元件�
7. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的信號切換和功率傳��
SI4957DY, SI4975DY, IRF7832, FDP066N06L