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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 19:24:02 查看 閱讀�25

SI5418DU-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能、低抖動(dòng)振蕩� (XO),屬� SI54x 系列。該器件支持廣泛的頻率范�,具備高精度和出色的頻率�(wěn)定�,專為需要嚴(yán)格時(shí)鐘同步的�(yīng)用設(shè)�(jì)。其采用緊湊型封裝,適合空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)��
  SI5418 支持工業(yè)溫度范圍 (-40°C � +85°C),能夠滿足苛刻工作條件下的性能要求�

參數(shù)

型號(hào):SI5418DU-T1-GE3
  品牌:Silicon Labs
  類型:晶體振蕩器 (XO)
  輸出頻率范圍�1MHz � 114.285MHz
  電源電壓�2.7V � 3.63V
  功耗:� 9mA(典型值)
  頻率�(wěn)定性:±20ppm(典型值)
  相位抖動(dòng):小� 1ps RMS(典型值)
  封裝形式�3.2mm x 2.5mm
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

SI5418DU-T1-GE3 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 超低相位抖動(dòng),確保在高速數(shù)�(jù)傳輸�(yīng)用中的優(yōu)異性能�
  2. 寬頻率范圍覆�,便于靈活配置系�(tǒng)�(shí)鐘需求�
  3. 小型化封裝設(shè)�(jì),適用于對空間有�(yán)格要求的�(shè)��
  4. 高可靠性與�(wěn)定�,在寬溫度范圍內(nèi)提供一致的性能表現(xiàn)�
  5. �(nèi)部集� PLL � VCXO 功能,簡化了外部電路�(shè)�(jì)并降低了 BOM 成本�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于通過�(rèn)證流��

�(yīng)�

SI5418DU-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(shù)�(jù)通信與電信設(shè)�,如交換�(jī)、路由器和光模塊�
  2. 嵌入式計(jì)算平�(tái),例如工�(yè) PC � IoT �(wǎng)�(guān)�
  3. 存儲(chǔ)�(shè)備與�(shí)鐘同步系�(tǒng)�
  4. �(yī)療儀�、測試測量設(shè)備和其他需要精�(zhǔn)�(shí)鐘源的場��
  5. 視頻處理和廣播設(shè)�,確保高�(zhì)量信�(hào)傳輸�
  由于其低抖動(dòng)特性和靈活性,SI5418 成為許多高性能系統(tǒng)的理想選��

替代型號(hào)

SI5416DU-T1-GE3, SI5428BU-T1-GE3, SI5448BU-T1-GE3

si5418du-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si5418du-t1-ge3資料 更多>

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si5418du-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫歐 @ 7.7A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
  • 功率 - 最�31W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? CHIPFET? �
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? ChipFET 單通道
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI5418DU-T1-GE3TR