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SI5418DU-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 19:24:02 查看 閱讀:25

SI5418DU-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能、低抖動(dòng)振蕩器 (XO),屬于 SI54x 系列。該器件支持廣泛的頻率范圍,具備高精度和出色的頻率穩(wěn)定性,專為需要嚴(yán)格時(shí)鐘同步的應(yīng)用設(shè)計(jì)。其采用緊湊型封裝,適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
  SI5418 支持工業(yè)溫度范圍 (-40°C 至 +85°C),能夠滿足苛刻工作條件下的性能要求。

參數(shù)

型號(hào):SI5418DU-T1-GE3
  品牌:Silicon Labs
  類型:晶體振蕩器 (XO)
  輸出頻率范圍:1MHz 至 114.285MHz
  電源電壓:2.7V 至 3.63V
  功耗:約 9mA(典型值)
  頻率穩(wěn)定性:±20ppm(典型值)
  相位抖動(dòng):小于 1ps RMS(典型值)
  封裝形式:3.2mm x 2.5mm
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C

特性

SI5418DU-T1-GE3 的主要特點(diǎn)包括:
  1. 超低相位抖動(dòng),確保在高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中的優(yōu)異性能。
  2. 寬頻率范圍覆蓋,便于靈活配置系統(tǒng)時(shí)鐘需求。
  3. 小型化封裝設(shè)計(jì),適用于對空間有嚴(yán)格要求的設(shè)備。
  4. 高可靠性與穩(wěn)定性,在寬溫度范圍內(nèi)提供一致的性能表現(xiàn)。
  5. 內(nèi)部集成 PLL 和 VCXO 功能,簡化了外部電路設(shè)計(jì)并降低了 BOM 成本。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于通過認(rèn)證流程。

應(yīng)用

SI5418DU-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 數(shù)據(jù)通信與電信設(shè)備,如交換機(jī)、路由器和光模塊。
  2. 嵌入式計(jì)算平臺(tái),例如工業(yè) PC 和 IoT 網(wǎng)關(guān)。
  3. 存儲(chǔ)設(shè)備與時(shí)鐘同步系統(tǒng)。
  4. 醫(yī)療儀器、測試測量設(shè)備和其他需要精準(zhǔn)時(shí)鐘源的場景。
  5. 視頻處理和廣播設(shè)備,確保高質(zhì)量信號(hào)傳輸。
  由于其低抖動(dòng)特性和靈活性,SI5418 成為許多高性能系統(tǒng)的理想選擇。

替代型號(hào)

SI5416DU-T1-GE3, SI5428BU-T1-GE3, SI5448BU-T1-GE3

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si5418du-t1-ge3資料 更多>

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si5418du-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫歐 @ 7.7A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
  • 功率 - 最大31W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? CHIPFET? 單
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? ChipFET 單通道
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI5418DU-T1-GE3TR