SI6435DQ 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術制造,具有極低的導通電阻和高效�,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)�、負載切換等場景。其封裝形式� DFN2020-8(SMD 封裝),有助于提高功率密度并減少 PCB 占用空間�
該型號中的后� -T1-GE3 表示其符合汽車級 AEC-Q101 標準,并具有特定的濕度敏感等級(MSL)和�(huán)保特��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻(Rds(on)):1.1mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�17nC(典型值)
總電容:195pF(典型�,Ciss�
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝:DFN2020-8
SI6435DQ-T1-GE3 的主要特點是采用了先進的 TrenchFET? 第三代技術,這種技術使得該器件具備以下�(yōu)勢:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 更小的封裝尺寸(DFN2020-8�,適合對空間要求嚴格的緊湊型設計�
3. 符合汽車級標準(AEC-Q101),適用于惡劣環(huán)境下的應��
4. 高效率和低熱阻,確保在大電流條件下仍能保持良好的散熱性能�
5. 支持高頻開關操作,適� DC-DC �(zhuǎn)換器和其他開關模式電源的應用�
6. 具備出色� ESD 保護性能,增強了器件的可靠��
� MOSFET 器件可應用于多種領域,包括但不限于以下場景:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 電機�(qū)動電路中的功率開��
3. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS�、空�(diào)壓縮機控制等�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換�
5. 筆記本電腦和移動設備的電池管理系�(tǒng)(BMS��
6. 多路輸出 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開關或�(xù)流二極管替代方案�
SI644ADQ-T1-GE3, SI649DD-T1-GE3