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SI6913DQ-T1-BE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 13:03:50 查看 閱讀:22

SI6913DQ-T1-BE3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)為 Vishay 公司旗下品牌)生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET? 第三代技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,適用于高效率、高密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為 Hot FET? 封裝,有助于提高散熱性能并降低寄生電感。
  該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換、電池供電設(shè)備以及電機驅(qū)動等場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:24A
  導(dǎo)通電阻(典型值):1.3mΩ
  柵極電荷(典型值):57nC
  總電容(輸入電容):1090pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-263-3L(DPAK)

特性

SI6913DQ-T1-BE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高電流處理能力,支持高達 24A 的連續(xù)漏極電流。
  3. 快速開關(guān)性能,得益于優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計,適合高頻應(yīng)用。
  4. 寬工作溫度范圍 (-55℃ 至 +175℃),確保在極端環(huán)境下的可靠性。
  5. 熱增強型封裝設(shè)計,提高了散熱能力和電氣性能。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛。
  7. 可靠性經(jīng)過嚴格測試,適合工業(yè)和消費類應(yīng)用。

應(yīng)用

SI6913DQ-T1-BE3 常用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
  3. 電池保護電路中的充放電控制。
  4. 電機驅(qū)動中的功率級控制。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理。
  7. 筆記本電腦和服務(wù)器的電源模塊設(shè)計。

替代型號

SI6912DY-T1-E3, IRF7840PBF, AO3400A

si6913dq-t1-be3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si6913dq-t1-be3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥17.01000剪切帶(CT)3,000 : ¥7.77559卷帶(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 配置2 個 P 溝道(雙)
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss)12V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.9A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)21 毫歐 @ 5.8A,4.5V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)900mV @ 400μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)28nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)-
  • 功率 - 最大值830mW(Ta)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封裝8-TSSOP