SI7101DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用微型封裝設計,適用于各種高效能開�(guān)和功率管理應�。其低導通電阻和高效率特性使其在消費電子、工�(yè)設備以及通信系統(tǒng)中廣泛使��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.5A
導通電阻:45mΩ
柵極電荷�10nC
總功耗:980mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
SI7101DN-T1-GE3 的主要特性包括低導通電� (Rds(on)),這有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,其快速開�(guān)能力和低柵極電荷使得該器件非常適合高頻開�(guān)應用�
� MOSFET 還具有出色的熱穩(wěn)定性和低噪聲性能,能夠在緊湊的設計中提供可靠的操作�
它采用了小尺寸的 SOT-23 封裝,節(jié)省了 PCB 空間并簡化了布局設計�
� MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、電源管理和電池保護電路等應��
由于其低導通電阻和小型化封�,它特別適合便攜式電子設備中的高效能開關(guān)需��
同時,它也適用于需要高可靠性和高效率的工業(yè)和汽車電子領域�
SI2305DS-T1-E3
Si2307DS
IRLML6402TRPBF