国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 10:06:22 查看 閱讀�33

SI7101DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用微型封裝設計,適用于各種高效能開�(guān)和功率管理應�。其低導通電阻和高效率特性使其在消費電子、工�(yè)設備以及通信系統(tǒng)中廣泛使��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.5A
  導通電阻:45mΩ
  柵極電荷�10nC
  總功耗:980mW
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

SI7101DN-T1-GE3 的主要特性包括低導通電� (Rds(on)),這有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  此外,其快速開�(guān)能力和低柵極電荷使得該器件非常適合高頻開�(guān)應用�
  � MOSFET 還具有出色的熱穩(wěn)定性和低噪聲性能,能夠在緊湊的設計中提供可靠的操作�
  它采用了小尺寸的 SOT-23 封裝,節(jié)省了 PCB 空間并簡化了布局設計�

應用

� MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、電源管理和電池保護電路等應��
  由于其低導通電阻和小型化封�,它特別適合便攜式電子設備中的高效能開關(guān)需��
  同時,它也適用于需要高可靠性和高效率的工業(yè)和汽車電子領域�

替代型號

SI2305DS-T1-E3
  Si2307DS
  IRLML6402TRPBF

si7101dn-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si7101dn-t1-ge3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si7101dn-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�15,956�(xiàn)�
  • 價格1 : �9.94000剪切帶(CT�3,000 : �4.20709卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)35A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)7.2 毫歐 @ 15A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)102 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)3595 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.7W(Ta��52W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�PowerPAK? 1212-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8