国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7119DN-T1-E3

SI7119DN-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 20:05:51 查看 閱讀�25

SI7119DN 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET,采� TrenchFET? 第三代技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換和負載切換�(yīng)�。其封裝形式� DSOP-8,能夠有效提高功率密度并降低系統(tǒng)功��
  此型� SI7119DN-T1-E3 屬于 Vishay 的標準產(chǎn)品系�,適合批量生�(chǎn)且具備優(yōu)異的電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓(VDS):60V
  連續(xù)漏極電流(ID):43A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.5mΩ(典型值,� VGS=10V 時)
  柵極電荷(QG):38nC
  輸入電容(Ciss):2220pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:DSOP-8

特�

SI7119DN 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高額定電流能力(43A�,適用于大功率應(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷 QG,可實現(xiàn)高頻操作�
  4. 工作溫度范圍寬廣�-55� � +175℃),適�(yīng)極端�(huán)境條件�
  5. 具備 EMI 較低的開�(guān)性能,簡化電磁兼容性設(shè)��
  6. 封裝緊湊,支持高功率密度解決方案�
  這些特點� SI7119DN 成為許多工業(yè)、汽車及消費電子�(lǐng)域中功率管理的理想選��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下場景�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級組件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)的負載切換與保護�
  5. 計算機和服務(wù)器中的多� VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊��
  6. 大功� LED 照明�(qū)動控��
  通過其高性能指標,SI7119DN 可滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對效率和可靠性的嚴格要求�

替代型號

SI7840DP, IRF7739PbF, FDMT7807Z

si7119dn-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si7119dn-t1-e3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si7119dn-t1-e3�(chǎn)�

si7119dn-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI7119DN
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.05 歐姆 @ 1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds666pF @ 50V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7119DN-T1-E3TR