SI7119DN 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET,采� TrenchFET? 第三代技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換和負載切換�(yīng)�。其封裝形式� DSOP-8,能夠有效提高功率密度并降低系統(tǒng)功��
此型� SI7119DN-T1-E3 屬于 Vishay 的標準產(chǎn)品系�,適合批量生�(chǎn)且具備優(yōu)異的電氣性能�
最大漏源電壓(VDS):60V
連續(xù)漏極電流(ID):43A
�(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.5mΩ(典型值,� VGS=10V 時)
柵極電荷(QG):38nC
輸入電容(Ciss):2220pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:DSOP-8
SI7119DN 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高額定電流能力(43A�,適用于大功率應(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷 QG,可實現(xiàn)高頻操作�
4. 工作溫度范圍寬廣�-55� � +175℃),適�(yīng)極端�(huán)境條件�
5. 具備 EMI 較低的開�(guān)性能,簡化電磁兼容性設(shè)��
6. 封裝緊湊,支持高功率密度解決方案�
這些特點� SI7119DN 成為許多工業(yè)、汽車及消費電子�(lǐng)域中功率管理的理想選��
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級組件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 汽車電子系統(tǒng)的負載切換與保護�
5. 計算機和服務(wù)器中的多� VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊��
6. 大功� LED 照明�(qū)動控��
通過其高性能指標,SI7119DN 可滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對效率和可靠性的嚴格要求�
SI7840DP, IRF7739PbF, FDMT7807Z