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時(shí)間：2025/4/29 10:05:01
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SI7139DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET Gen III 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能，適用于需要高效能和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景。
其封裝形式為 TO-252 (DPAK)，能夠承受較高的電流負(fù)載，并具備出色的熱性能表現(xiàn)。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：28A
導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
柵極電荷（典型值）：45nC
輸入電容（典型值）：1020pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
SI7139DP-T1-GE3 的主要特點(diǎn)是其非常低的導(dǎo)通電阻和高效率的開關(guān)性能，這使得它非常適合于要求低損耗和高效率的應(yīng)用環(huán)境。
1. 超低導(dǎo)通電阻：該器件在典型條件下具有 4.5mΩ 的導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗。
2. 高效率：由于采用了先進(jìn)的 TrenchFET Gen III 技術(shù)，此 MOSFET 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，適合 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
3. 小巧封裝：TO-252 封裝提供了良好的散熱性能同時(shí)保持了較小的尺寸。
4. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -55°C 到 +175°C 的寬溫范圍，滿足工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用的需求。
5. 可靠性高：通過多項(xiàng)質(zhì)量測(cè)試，確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。
SI7139DP-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域，例如：
1. 開關(guān)電源 (SMPS)：
- AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：
- 各類工業(yè)電機(jī)控制
3. 照明系統(tǒng)：
- LED 驅(qū)動(dòng)器
4. 電池管理：
- 保護(hù)電路、充放電控制
5. 汽車電子：
- 車載充電器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 等
SI7156DP, IRF7846TRPBF, FDMQ8207
