国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 10:05:01 查看 閱讀:33

SI7139DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET Gen III 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能,適用于需要高效能和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景。
  其封裝形式為 TO-252 (DPAK),能夠承受較高的電流負(fù)載,并具備出色的熱性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:28A
  導(dǎo)通電阻(典型值):4.5mΩ
  柵極電荷(典型值):45nC
  輸入電容(典型值):1020pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

SI7139DP-T1-GE3 的主要特點(diǎn)是其非常低的導(dǎo)通電阻和高效率的開關(guān)性能,這使得它非常適合于要求低損耗和高效率的應(yīng)用環(huán)境。
  1. 超低導(dǎo)通電阻:該器件在典型條件下具有 4.5mΩ 的導(dǎo)通電阻,從而減少了傳導(dǎo)損耗。
  2. 高效率:由于采用了先進(jìn)的 TrenchFET Gen III 技術(shù),此 MOSFET 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
  3. 小巧封裝:TO-252 封裝提供了良好的散熱性能同時(shí)保持了較小的尺寸。
  4. 廣泛的工作溫度范圍:支持從 -55°C 到 +175°C 的寬溫范圍,滿足工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用的需求。
  5. 可靠性高:通過多項(xiàng)質(zhì)量測(cè)試,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

SI7139DP-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域,例如:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):
   - AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):
   - 各類工業(yè)電機(jī)控制
  3. 照明系統(tǒng):
   - LED 驅(qū)動(dòng)器
  4. 電池管理:
   - 保護(hù)電路、充放電控制
  5. 汽車電子:
   - 車載充電器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 等

替代型號(hào)

SI7156DP, IRF7846TRPBF, FDMQ8207

si7139dp-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7139dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si7139dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs146nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4230pF @ 15V
  • 功率 - 最大48W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7139DP-T1-GE3TR