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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7174DP-T1-GE3

SI7174DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 15:31:58 查看 閱讀�20

SI7174DP 是一款由 Vishay 推出� N 灃道 �(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel MOSFET),采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,適合用于高效能功率�(zhuǎn)�、負(fù)載開�(guān)以及 DC/DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。其封裝形式� ThinSOT23-6L,有助于節(jié)� PCB 空間并支持高密度�(shè)�(jì)�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高性能與小尺寸的結(jié)�,同�(shí)確保在各種電源管理場(chǎng)景中的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.5mΩ
  柵極電荷�10nC
  總電容:115pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:ThinSOT23-6L

特�

SI7174DP 具有非常低的�(dǎo)通電阻,使其在高電流�(yīng)用場(chǎng)景中能夠減少功耗并提升效率。此�,該器件的快速開�(guān)性能有助于降低開�(guān)損耗,非常適合高頻開關(guān)電路。其緊湊的封裝形式允許設(shè)�(jì)師在有限的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)更高性能的解決方案�
  Vishay � TrenchFET 第三代技�(shù)提供了優(yōu)化的電氣特�,包括更小的柵極電荷和更低的輸入電容,這些都�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的�(dòng)�(tài)表現(xiàn)。此�,該器件的工作溫度范圍較�,可適應(yīng)惡劣的工作環(huán)�,保證了長期�(yùn)行的可靠��

�(yīng)�

SI7174DP 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域。具體應(yīng)用包括但不限于:
  1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)
  2. 筆記本電腦適配器中的同步整流
  3. 便攜式設(shè)備中的電池管�
  4. 小型 DC/DC �(zhuǎn)換器
  5. 固態(tài)硬盤(SSD)控制器中的電源管理
  6. 高效能電�(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率開�(guān)
  由于其低�(dǎo)通電阻和小型化封�,這款 MOSFET 成為了許多便攜式及空間受限應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

SI4402DY, SI4407DY, FDS6670A

si7174dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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  • 型號(hào)
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si7174dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2770pF @ 40V
  • 功率 - 最�104W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7174DP-T1-GE3TR