SI7174DP 是一款由 Vishay 推出� N 灃道 �(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel MOSFET),采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,適合用于高效能功率�(zhuǎn)�、負(fù)載開�(guān)以及 DC/DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。其封裝形式� ThinSOT23-6L,有助于節(jié)� PCB 空間并支持高密度�(shè)�(jì)�
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高性能與小尺寸的結(jié)�,同�(shí)確保在各種電源管理場(chǎng)景中的穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.5mΩ
柵極電荷�10nC
總電容:115pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:ThinSOT23-6L
SI7174DP 具有非常低的�(dǎo)通電阻,使其在高電流�(yīng)用場(chǎng)景中能夠減少功耗并提升效率。此�,該器件的快速開�(guān)性能有助于降低開�(guān)損耗,非常適合高頻開關(guān)電路。其緊湊的封裝形式允許設(shè)�(jì)師在有限的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)更高性能的解決方案�
Vishay � TrenchFET 第三代技�(shù)提供了優(yōu)化的電氣特�,包括更小的柵極電荷和更低的輸入電容,這些都�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的�(dòng)�(tài)表現(xiàn)。此�,該器件的工作溫度范圍較�,可適應(yīng)惡劣的工作環(huán)�,保證了長期�(yùn)行的可靠��
SI7174DP 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域。具體應(yīng)用包括但不限于:
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)
2. 筆記本電腦適配器中的同步整流
3. 便攜式設(shè)備中的電池管�
4. 小型 DC/DC �(zhuǎn)換器
5. 固態(tài)硬盤(SSD)控制器中的電源管理
6. 高效能電�(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率開�(guān)
由于其低�(dǎo)通電阻和小型化封�,這款 MOSFET 成為了許多便攜式及空間受限應(yīng)用的理想選擇�
SI4402DY, SI4407DY, FDS6670A