国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI7252ADP-T1-GE3

SI7252ADP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 15:42:06 查看 閱讀�27

SI7252ADP-T1-GE3是來(lái)自Vishay Siliconix的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用微型DFN封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于便攜式設(shè)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電池供電系統(tǒng)的各種應(yīng)�。其出色的性能使其在效率和空間受限的設(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色�

參數(shù)

漏源電壓(Vds)�30 V
  柵極閾值電�(Vgs(th))�1.25 V(典型值)
  連續(xù)漏極電流(Id)�3 A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5 mΩ(在Vgs=4.5V�(shí)�
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�5.6 mΩ(在Vgs=2.5V�(shí)�
  總功�(Ptot)�820 mW
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C
  封裝�(lèi)型:DFN1010-2

特�

SI7252ADP-T1-GE3的主要特性包括超低導(dǎo)通電�,能夠在較低的驅(qū)�(dòng)電壓下實(shí)�(xiàn)高效的功率傳�;其微型封裝形式節(jié)省了PCB空間,非常適合小型化�(shè)�(jì)需��
  此外,該器件具有快速開(kāi)�(guān)能力,能夠減少開(kāi)�(guān)損耗,并且具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于�(duì)效率和尺寸要求較高的�(chǎng)合�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,例如:
  1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)控制�
  2. 各類(lèi)DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
  3. 功率管理模塊中的電源切換�
  4. 電池供電系統(tǒng)中的高效能量傳輸�
  5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)處理電路保護(hù)�

替代型號(hào)

SI7252DDV, SI7252DP, SI7253ADP

si7252adp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

si7252adp-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �13.04000剪切帶(CT�3,000 : �5.97255卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�100V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)9.3A(Ta��28.7A(Tc�
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)18.6 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)26.5nC @ 10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1266pF @ 50V
  • 功率 - 最大�3.6W(Ta��33.8W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 �
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8 �