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SI7252ADP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/25 15:42:06 查看 閱讀：27

SI7252ADP-T1-GE3是來(lái)自Vishay Siliconix的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用微型DFN封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于便攜式設(shè)備、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池供電系統(tǒng)的各種應(yīng)用。其出色的性能使其在效率和空間受限的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

漏源電壓(Vds)：30 V
　　柵極閾值電壓(Vgs(th))：1.25 V（典型值）
　　連續(xù)漏極電流(Id)：3 A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.5 mΩ（在Vgs=4.5V時(shí)）
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：5.6 mΩ（在Vgs=2.5V時(shí)）
　　總功耗(Ptot)：820 mW
　　工作結(jié)溫范圍(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封裝類(lèi)型：DFN1010-2

特性

SI7252ADP-T1-GE3的主要特性包括超低導(dǎo)通電阻，能夠在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)高效的功率傳輸；其微型封裝形式節(jié)省了PCB空間，非常適合小型化設(shè)計(jì)需求。
　　此外，該器件具有快速開(kāi)關(guān)能力，能夠減少開(kāi)關(guān)損耗，并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于對(duì)效率和尺寸要求較高的場(chǎng)合。

應(yīng)用

這款MOSFET廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，例如：
　　1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。
　　2. 各類(lèi)DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
　　3. 功率管理模塊中的電源切換。
　　4. 電池供電系統(tǒng)中的高效能量傳輸。
　　5. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)處理電路保護(hù)。

替代型號(hào)

SI7252DDV, SI7252DP, SI7253ADP

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

si7252adp-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥13.04000剪切帶（CT）3,000 : ￥5.97255卷帶（TR）
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 配置2 N-通道（雙）
  • FET 功能-
  • 漏源電壓（Vdss）100V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)9.3A（Ta），28.7A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）18.6 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）26.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1266pF @ 50V
  • 功率 - 最大值3.6W（Ta），33.8W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 雙
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerPAK? SO-8 雙