SI7252ADP-T1-GE3是來(lái)自Vishay Siliconix的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用微型DFN封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于便攜式設(shè)備、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池供電系統(tǒng)的各種應(yīng)用。其出色的性能使其在效率和空間受限的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。
漏源電壓(Vds):30 V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.25 V(典型值)
連續(xù)漏極電流(Id):3 A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5 mΩ(在Vgs=4.5V時(shí))
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.6 mΩ(在Vgs=2.5V時(shí))
總功耗(Ptot):820 mW
工作結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +150°C
封裝類(lèi)型:DFN1010-2
SI7252ADP-T1-GE3的主要特性包括超低導(dǎo)通電阻,能夠在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)高效的功率傳輸;其微型封裝形式節(jié)省了PCB空間,非常適合小型化設(shè)計(jì)需求。
此外,該器件具有快速開(kāi)關(guān)能力,能夠減少開(kāi)關(guān)損耗,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于對(duì)效率和尺寸要求較高的場(chǎng)合。
這款MOSFET廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,例如:
1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。
2. 各類(lèi)DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
3. 功率管理模塊中的電源切換。
4. 電池供電系統(tǒng)中的高效能量傳輸。
5. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)處理電路保護(hù)。
SI7252DDV, SI7252DP, SI7253ADP