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SI7288DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 10:30:39 查看 閱讀：16

SI7288DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET Gen III 技術(shù)，旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效率的性能。它適用于各種開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及其他功率管理應(yīng)用。由于其出色的電氣特性，這款 MOSFET 在消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及通信系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：44A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
　　柵極電荷：39nC（典型值）
　　輸入電容：1390pF（典型值）
　　總功耗：17W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-263 (DPAK)

特性

SI7288DP-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)，優(yōu)化了開關(guān)性能并提高了效率。
　　3. 高電流承載能力，支持高達(dá) 44A 的連續(xù)漏極電流。
　　4. 小巧的 TO-263 封裝，適合空間受限的應(yīng)用。
　　5. 寬工作溫度范圍，能夠在極端條件下可靠運(yùn)行。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
　　7. 穩(wěn)定的電氣性能和可靠性，適用于嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境。

應(yīng)用

SI7288DP-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于多種功率轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 各類負(fù)載開關(guān)，用于動(dòng)態(tài)管理電路中的電流流動(dòng)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，支持高效控制電機(jī)的速度和方向。
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS），實(shí)現(xiàn)精確的充放電保護(hù)。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
　　6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率分配與轉(zhuǎn)換組件。
　　7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方案。

替代型號(hào)

SI7449DP, SI7844DP, IRF7844

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si7288dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C19 毫歐 @ 10A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.8V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds565pF @ 20V
  • 功率 - 最大15.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 雙
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7288DP-T1-GE3TR