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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 10:30:39 查看 閱讀�16

SI7288DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),旨在提供低�(dǎo)通電阻和高效率的性能。它適用于各種開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及其他功率管理�(yīng)用。由于其出色的電氣特�,這款 MOSFET 在消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信系統(tǒng)中得到了廣泛�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�44A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  柵極電荷�39nC(典型值)
  輸入電容�1390pF(典型值)
  總功耗:17W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263 (DPAK)

特�

SI7288DP-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損��
  2. 采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),優(yōu)化了開關(guān)性能并提高了效率�
  3. 高電流承載能�,支持高�(dá) 44A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 小巧� TO-263 封裝,適合空間受限的�(yīng)用�
  5. 寬工作溫度范�,能夠在極端條件下可靠運(yùn)行�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  7. �(wěn)定的電氣性能和可靠�,適用于�(yán)苛的工業(yè)�(huán)��

�(yīng)�

SI7288DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 各類�(fù)載開�(guān),用于動(dòng)�(tài)管理電路中的電流流動(dòng)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,支持高效控制電�(jī)的速度和方��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),�(shí)�(xiàn)精確的充放電保護(hù)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率分配與�(zhuǎn)換組��
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方��

替代型號(hào)

SI7449DP, SI7844DP, IRF7844

si7288dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7288dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si7288dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds565pF @ 20V
  • 功率 - 最�15.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 �
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7288DP-T1-GE3TR