SI7366DP-T1-GE3 是由 Vishay 推出的一� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術,能夠提供極低的導通電阻和出色的開關性能,非常適合用于高效能的電源管理、電機控制以及其他功率轉換應��
該器件采用了 TO-252 (DPAK) 封裝形式,具有較高的電流承載能力以及良好的熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�39A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�19nC
輸入電容�2820pF
開關速度:快�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
SI7366DP-T1-GE3 具備以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關特�,支持高頻應用,同時減少開關損��
3. 高雪崩能量能�,提升了器件在異常條件下的可靠��
4. 符合 AEC-Q101 標準,適用于汽車級應用�
5. 提供�(yōu)異的熱性能,確保在高功率條件下�(wěn)定運行�
6. 支持多種功率轉換拓撲,包括降�、升壓、反激式轉換器��
7. 無鉛且符� RoHS 標準,環(huán)保友好�
SI7366DP-T1-GE3 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)設計中的功率開��
2. DC-DC 轉換器,如降壓或升壓拓撲中的主開關管�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅動電路�
4. 汽車電子系統(tǒng),例如車身控制模�、啟動停止系�(tǒng)等�
5. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開關�
7. 高效 LED 驅動器中的功率開關組��
SI7449DP, IRFZ44N, FDP17N06