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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7366DP-T1-GE3

SI7366DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 14:29:33 查看 閱讀�13

SI7366DP-T1-GE3 是由 Vishay 推出的一� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術,能夠提供極低的導通電阻和出色的開關性能,非常適合用于高效能的電源管理、電機控制以及其他功率轉換應��
  該器件采用了 TO-252 (DPAK) 封裝形式,具有較高的電流承載能力以及良好的熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�39A
  導通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�19nC
  輸入電容�2820pF
  開關速度:快�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SI7366DP-T1-GE3 具備以下主要特性:
  1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關特�,支持高頻應用,同時減少開關損��
  3. 高雪崩能量能�,提升了器件在異常條件下的可靠��
  4. 符合 AEC-Q101 標準,適用于汽車級應用�
  5. 提供�(yōu)異的熱性能,確保在高功率條件下�(wěn)定運行�
  6. 支持多種功率轉換拓撲,包括降�、升壓、反激式轉換器��
  7. 無鉛且符� RoHS 標準,環(huán)保友好�

應用

SI7366DP-T1-GE3 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)設計中的功率開��
  2. DC-DC 轉換器,如降壓或升壓拓撲中的主開關管�
  3. 電動工具和家用電器中的電機驅動電路�
  4. 汽車電子系統(tǒng),例如車身控制模�、啟動停止系�(tǒng)等�
  5. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
  6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開關�
  7. 高效 LED 驅動器中的功率開關組��

替代型號

SI7449DP, IRFZ44N, FDP17N06

si7366dp-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si7366dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應商設備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7366DP-T1-GE3TR