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SI7540ADP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/27 16:19:07 查看 閱讀:35

SI7540ADP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)。該器件主要應(yīng)用于高效率、高頻開(kāi)關(guān)電路,具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷特性,有助于提高系統(tǒng)整體能效。
  該芯片廣泛適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器(POL)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及各種便攜式電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:28A
  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷:66nC(典型值)
  總柵極電荷(Qg):95nC(最大值)
  輸入電容:1050pF
  功耗:25W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-263-3 (DPAK)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 采用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技術(shù),具備更小的封裝尺寸和更高的功率密度。
  3. 快速開(kāi)關(guān)性能,支持高頻操作,減少磁性元件體積。
  4. 高溫適應(yīng)能力,能夠承受高達(dá) 175℃ 的結(jié)溫。
  5. 具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用環(huán)境。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器(POL)
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
  5. 電池管理與保護(hù)電路
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)

替代型號(hào)

SI7446DP, IRF7738, FDN340P

si7540adp-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7540adp-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量574現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥13.91000剪切帶(CT)3,000 : ¥6.37487卷帶(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)-
  • 配置N 和 P 溝道
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss)20V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)12A,9A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)28 毫歐 @ 12A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)48nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1310pF @ 10V
  • 功率 - 最大值3.5W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 雙
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerPAK? SO-8 雙