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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 19:49:26 查看 閱讀�26

SI7615ADN-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制造,具有低導通電阻和高效率的特點。它適用于各種開�(guān)應用,包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機控制和電源管理等場��
  � MOSFET 的封裝形式為 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封裝,這種封裝方式能夠有效提高散熱性能,并且支持表面貼裝工�,便于自動化生產(chǎn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�41A
  導通電阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型�,Vgs=10V時)
  柵極電荷�29nC
  輸入電容�2490pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,支持高� 41A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應��
  3. 緊湊的封裝設計,節(jié)� PCB 布局空間�
  4. 快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損�,適合高頻電路�
  5. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下仍能可靠運行�
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��

應用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  3. 電機�(qū)動和控制電路中的功率開關(guān)�
  4. 電池保護和負載開�(guān)�
  5. 工業(yè)設備中的電源管理和配電應��
  6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��

替代型號

SI7463DP, IRF7736, AO3400A

si7615adn-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
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si7615adn-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs183nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5590pF @ 10V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型*
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應商設備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7615ADN-T1-GE3TR