SI7615ADN-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制造,具有低導通電阻和高效率的特點。它適用于各種開�(guān)應用,包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機控制和電源管理等場��
� MOSFET 的封裝形式為 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封裝,這種封裝方式能夠有效提高散熱性能,并且支持表面貼裝工�,便于自動化生產(chǎn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�41A
導通電阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極電荷�29nC
輸入電容�2490pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,支持高� 41A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應��
3. 緊湊的封裝設計,節(jié)� PCB 布局空間�
4. 快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損�,適合高頻電路�
5. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下仍能可靠運行�
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
3. 電機�(qū)動和控制電路中的功率開關(guān)�
4. 電池保護和負載開�(guān)�
5. 工業(yè)設備中的電源管理和配電應��
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��
SI7463DP, IRF7736, AO3400A