SI7682DP 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET,該器件采用 TrenchFET Gen IV 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。其設(shè)計適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用以及負載切換等場景。
這款芯片以小型化的封裝形式提供,支持表面貼裝工藝,廣泛用于消費電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:19A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.5mΩ
柵極電荷(典型值):34nC
開關(guān)頻率范圍:高達 2MHz
結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝類型:PowerPAK? 8x8
SI7682DP 的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣特性和可靠性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
2. 小巧的 PowerPAK 8x8 封裝使其能夠滿足緊湊型設(shè)計需求。
3. 高額定電流能力允許在大功率應(yīng)用場景下使用。
4. 出色的熱性能有助于維持穩(wěn)定的運行狀態(tài)。
5. 快速開關(guān)速度減少了開關(guān)損耗并優(yōu)化了動態(tài)響應(yīng)。
6. 兼容多種驅(qū)動電壓,增強了設(shè)計靈活性。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),并且具備較強的抗 ESD 能力。
SI7682DP 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)。
2. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率級開關(guān)或次級側(cè)同步整流。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率開關(guān)元件。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換和保護功能。
5. 電信及數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的高效功率傳輸模塊。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制單元。
SI7449DN, IRF7739TRPBF, AO3402A