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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 14:30:32 查看 閱讀�13

SI7788DP-T1-GE3是來自Vishay Siliconix的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TrenchFET? Gen III技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的特點。其封裝形式為TinyPower? 2x2 mm MLPD,適合用于空間受限的�(yīng)用場��
  該MOSFET通常被用作負載開�(guān)、同步整流器或DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.5A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在Vgs=10V時)
  柵極電荷�6nC
  總電容:980pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 小巧的封裝尺寸(2x2mm MLPD�,節(jié)省PCB板空��
  3. 高開�(guān)速度,適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
  4. 提供良好的熱�(wěn)定性和可靠��
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
  6. 能夠承受高達30V的漏源電�,確保在各種工作條件下的安全��

�(yīng)�

1. 移動�(shè)備中的負載開�(guān)�
  2. 同步整流�(yīng)用,如筆記本適配器和工業(yè)電源�
  3. DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  4. 電池供電�(shè)備中的電源管理�
  5. 消費類電子產(chǎn)品的高效功率�(zhuǎn)��
  6. 工業(yè)控制和通信系統(tǒng)的電源管理模��

替代型號

SI7446DP, SI4486DY, IRF7832

si7788dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si7788dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫歐 @ 15A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs125nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5370pF @ 15V
  • 功率 - 最�69W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7788DP-T1-GE3TR