SI7788DP-T1-GE3是來自Vishay Siliconix的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TrenchFET? Gen III技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的特點。其封裝形式為TinyPower? 2x2 mm MLPD,適合用于空間受限的�(yīng)用場��
該MOSFET通常被用作負載開�(guān)、同步整流器或DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在Vgs=10V時)
柵極電荷�6nC
總電容:980pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 小巧的封裝尺寸(2x2mm MLPD�,節(jié)省PCB板空��
3. 高開�(guān)速度,適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
4. 提供良好的熱�(wěn)定性和可靠��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 能夠承受高達30V的漏源電�,確保在各種工作條件下的安全��
1. 移動�(shè)備中的負載開�(guān)�
2. 同步整流�(yīng)用,如筆記本適配器和工業(yè)電源�
3. DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
4. 電池供電�(shè)備中的電源管理�
5. 消費類電子產(chǎn)品的高效功率�(zhuǎn)��
6. 工業(yè)控制和通信系統(tǒng)的電源管理模��
SI7446DP, SI4486DY, IRF7832