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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 15:21:44 查看 閱讀�15

SI7852DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的特點,適用于各種功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)�。它具有出色的熱性能和電氣性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.9mΩ
  柵極電荷�49nC
  輸入電容�2250pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI7852DP-T1-GE3 使用了先�(jìn)� TrenchFET 工藝,大幅降低了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了整體的功率效率和系統(tǒng)性能�
  該器件具備快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,并且其封裝設(shè)計優(yōu)化了散熱路徑,確保在高電流條件下�(wěn)定運��
  此外,它的低反向恢復(fù)電荷特性也使其成為硬開�(guān)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點�(diào)節(jié)器、同步整流電路以及電池供電設(shè)備中�
  它還常用于電信和�(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管理模�,以及消費類電子�(chǎn)品中的電機驅(qū)動和照明控制等場景�

替代型號

SI7862DP-T1-E3, IRF7852PbF

si7852dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si7852dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.9W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)