SI7852DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的特點,適用于各種功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)�。它具有出色的熱性能和電氣性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.9mΩ
柵極電荷�49nC
輸入電容�2250pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
SI7852DP-T1-GE3 使用了先�(jìn)� TrenchFET 工藝,大幅降低了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了整體的功率效率和系統(tǒng)性能�
該器件具備快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,并且其封裝設(shè)計優(yōu)化了散熱路徑,確保在高電流條件下�(wěn)定運��
此外,它的低反向恢復(fù)電荷特性也使其成為硬開�(guān)�(yīng)用的理想選擇�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點�(diào)節(jié)器、同步整流電路以及電池供電設(shè)備中�
它還常用于電信和�(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管理模�,以及消費類電子�(chǎn)品中的電機驅(qū)動和照明控制等場景�
SI7862DP-T1-E3, IRF7852PbF