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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI7866ADP-T1

SI7866ADP-T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 16:55:34 查看 閱讀�21

SI7866ADP-T1 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電� (RDS(on)) 和高效率的特�,非常適合用于高頻開(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。它支持 -55°C � +175°C 的寬工作溫度范圍,并采用� TO-252 (DPAK) 封裝形式,便于安裝和散熱�
  該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)�,為�(shè)�(jì)人員提供了高性能和高可靠性的解決方案�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�38A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):4.5mΩ
  柵極電荷�49nC
  輸入電容�1780pF
  總功耗:160W
  工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C

特�

SI7866ADP-T1 提供了非常低的導(dǎo)通電阻,從而顯著降低了傳導(dǎo)損�,提升了整體效率。此�,其快速開(kāi)�(guān)性能使得它可以適�(yīng)高頻工作�(huán)�,同�(shí)減少了電磁干擾問(wèn)題�
  由于采用了先�(jìn)� TrenchFET 技�(shù),這款 MOSFET 在小型化封裝中實(shí)�(xiàn)了卓越的熱性能,允許在高電流密度條件下�(wěn)定運(yùn)��
  此外,該器件具備出色的雪崩能力和短路耐受能力,�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全性和可靠�。這些特點(diǎn)� SI7866ADP-T1 成為多種功率管理�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SI7866ADP-T1 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電路中的功率級(jí)組件�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與配電模��
  5. 便攜式電子產(chǎn)品中的高效能量傳輸及充電解決方案�

替代型號(hào)

SI7865DP, IRF7866, FDMF8880

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