SI7884DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 沃特(N-Channel)功� MOSFET,采用了 TrenchFET Gen III 技�(shù)。這款器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,非常適合用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為小尺寸� TSOT23-3L 封裝,適合空間受限的�(shè)計場��
該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動以及電池供電設(shè)備等�(yīng)用中,能夠提供出色的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.2A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
柵極電荷�6nC(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +150�
總功耗:0.8W
SI7884DP-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)��
3. 小型 TSOT23-3L 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 具有�(yōu)秀的熱性能,支持高功率密度�(shè)��
這些特點� SI7884DP-T1-GE3 成為各種便攜式電子設(shè)備的理想選擇�
該功� MOSFET 器件的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣�,具體包括:
1. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
2. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�(shè)計�
3. 電池供電�(shè)備中的電源管��
4. 消費類電子產(chǎn)品中的馬�(dá)�(qū)動控制�
5. 工業(yè)級應(yīng)用如 LED 照明�(qū)動及小型化逆變��
6. 可穿戴設(shè)備及其他對體積敏感的�(chǎn)品中作為高效開關(guān)元件�
SI7890DP, BSS138