SI7892ADP-T1-E3是來自Skyworks公司的一款高性能N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電源管理場景,如�(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電池保�(hù)電路�。其小型化的封裝形式使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)��
該MOSFET的額定電壓為30V,適用于中低壓應(yīng)用場合,并且具備出色的熱性能和電氣性能。通過�(yōu)化設(shè)�(jì),SI7892ADP-T1-E3能夠在高頻工作條件下提供高效的功率傳輸和較低的能量損耗�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源極電壓�30V
最大柵源極電壓:�8V
連續(xù)漏極電流�4.2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷(典型值)�6.8nC
總電容(輸入/輸出/反向傳輸):3.5pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:DFN2020-8
SI7892ADP-T1-E3的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作,減少開關(guān)損��
3. 小尺寸DFN2020-8封裝,節(jié)省PCB空間�
4. 高度可靠的性能表現(xiàn),在極端溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定工��
5. 具備出色的抗靜電能力(ESD防護(hù)�,確保在生產(chǎn)和使用過程中的安全��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
此外,該器件�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測�,能夠滿足汽車級和工�(yè)級應(yīng)用的需求�
SI7892ADP-T1-E3適合用于以下�(yīng)用場景:
1. 消費(fèi)電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電源管理模��
2. 便攜式設(shè)備的電池保護(hù)和充電管理電��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和POL(Point of Load)調(diào)節(jié)器�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換和功率控制�
5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和�(qū)動電��
6. 高效能要求的通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率分配網(wǎng)�(luò)�
由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形�,這款MOSFET成為眾多�(xiàn)代電子設(shè)�(jì)的理想選擇�
SI7891ADP-T1-E3
SI7893ADP-T1-E3
SiS822ADP