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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7892ADP-T1-E3

SI7892ADP-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 14:07:20 查看 閱讀�21

SI7892ADP-T1-E3是來自Skyworks公司的一款高性能N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電源管理場景,如�(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電池保�(hù)電路�。其小型化的封裝形式使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)��
  該MOSFET的額定電壓為30V,適用于中低壓應(yīng)用場合,并且具備出色的熱性能和電氣性能。通過�(yōu)化設(shè)�(jì),SI7892ADP-T1-E3能夠在高頻工作條件下提供高效的功率傳輸和較低的能量損耗�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源極電壓�30V
  最大柵源極電壓:�8V
  連續(xù)漏極電流�4.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�6.8nC
  總電容(輸入/輸出/反向傳輸):3.5pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:DFN2020-8

特�

SI7892ADP-T1-E3的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作,減少開關(guān)損��
  3. 小尺寸DFN2020-8封裝,節(jié)省PCB空間�
  4. 高度可靠的性能表現(xiàn),在極端溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定工��
  5. 具備出色的抗靜電能力(ESD防護(hù)�,確保在生產(chǎn)和使用過程中的安全��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  此外,該器件�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測�,能夠滿足汽車級和工�(yè)級應(yīng)用的需求�

�(yīng)�

SI7892ADP-T1-E3適合用于以下�(yīng)用場景:
  1. 消費(fèi)電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電源管理模��
  2. 便攜式設(shè)備的電池保護(hù)和充電管理電��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器和POL(Point of Load)調(diào)節(jié)器�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換和功率控制�
  5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和�(qū)動電��
  6. 高效能要求的通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率分配網(wǎng)�(luò)�
  由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形�,這款MOSFET成為眾多�(xiàn)代電子設(shè)�(jì)的理想選擇�

替代型號

SI7891ADP-T1-E3
  SI7893ADP-T1-E3
  SiS822ADP

si7892adp-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si7892adp-t1-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流15 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)4.2 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體PowerPAK SO-8
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�10 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.9 W
  • 上升�(shí)�10 ns
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�65 ns
  • 零件號別�SI7892ADP-E3