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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI9410BDY-T1-GE3

SI9410BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/25 18:37:33 查看 閱讀�27

SI9410BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型表面貼裝封裝,適用于需要高效功率開關的應用場景。它具有低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�25A
  導通電阻(典型值)�8mΩ
  柵極電荷�20nC
  總功耗:2.7W
  工作結溫范圍�-55� � +175�

特�

SI9410BDY-T1-GE3 具有非常低的導通電�,這使得其在高電流應用中表�(xiàn)出色。此�,其快速的開關性能減少了開關損�,從而提升了整體效率。器件的工作溫度范圍寬廣,可以適應各種嚴苛環(huán)境下的應用需�。此�,該 MOSFET 的封裝形式為 TO-263-3 (DPAK),具備出色的散熱性能�
  主要特性包括:
  1. 極低� RDS(on) 確保了低傳導損��
  2. 快速開關時間支持高頻操��
  3. 高雪崩能量能力增強了器件的可靠性�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�

應用

該器件廣泛應用于直流-直流轉換�、負載開�、電機驅(qū)動電路以及電池保護等領域。由于其出色的效率和耐用�,SI9410BDY-T1-GE3 成為許多工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品設計中的首選功� MOSFET。典型應用場景包括:
  1. 開關電源(SMPS��
  2. 電動工具中的電機控制�
  3. LED 照明�(qū)動電��
  4. 筆記本電腦及平板電腦適配��
  5. 各種便攜式電子設備的電池管理系統(tǒng)(BMS��

si9410bdy-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si9410bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫歐 @ 8.1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)