時間：2025/4/25 18:37:33
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SI9410BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用小型表面貼裝封裝，適用于需要高效功率開關的應用場景。它具有低導通電阻和快速開關速度的特點，能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：25A
導通電阻（典型值）：8mΩ
柵極電荷：20nC
總功耗：2.7W
工作結溫范圍：-55℃ 至 +175℃
SI9410BDY-T1-GE3 具有非常低的導通電阻，這使得其在高電流應用中表現(xiàn)出色。此外，其快速的開關性能減少了開關損耗，從而提升了整體效率。器件的工作溫度范圍寬廣，可以適應各種嚴苛環(huán)境下的應用需求。此外，該 MOSFET 的封裝形式為 TO-263-3 (DPAK)，具備出色的散熱性能。
主要特性包括：
1. 極低的 RDS(on) 確保了低傳導損耗。
2. 快速開關時間支持高頻操作。
3. 高雪崩能量能力增強了器件的可靠性。
4. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且可靠。
該器件廣泛應用于直流-直流轉換器、負載開關、電機驅(qū)動電路以及電池保護等領域。由于其出色的效率和耐用性，SI9410BDY-T1-GE3 成為許多工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品設計中的首選功率 MOSFET。典型應用場景包括：
1. 開關電源（SMPS）。
2. 電動工具中的電機控制。
3. LED 照明驅(qū)動電路。
4. 筆記本電腦及平板電腦適配器。
5. 各種便攜式電子設備的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
