SI9410BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型表面貼裝封裝,適用于需要高效功率開關的應用場景。它具有低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻(典型值)�8mΩ
柵極電荷�20nC
總功耗:2.7W
工作結溫范圍�-55� � +175�
SI9410BDY-T1-GE3 具有非常低的導通電�,這使得其在高電流應用中表�(xiàn)出色。此�,其快速的開關性能減少了開關損�,從而提升了整體效率。器件的工作溫度范圍寬廣,可以適應各種嚴苛環(huán)境下的應用需�。此�,該 MOSFET 的封裝形式為 TO-263-3 (DPAK),具備出色的散熱性能�
主要特性包括:
1. 極低� RDS(on) 確保了低傳導損��
2. 快速開關時間支持高頻操��
3. 高雪崩能量能力增強了器件的可靠性�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
該器件廣泛應用于直流-直流轉換�、負載開�、電機驅(qū)動電路以及電池保護等領域。由于其出色的效率和耐用�,SI9410BDY-T1-GE3 成為許多工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品設計中的首選功� MOSFET。典型應用場景包括:
1. 開關電源(SMPS��
2. 電動工具中的電機控制�
3. LED 照明�(qū)動電��
4. 筆記本電腦及平板電腦適配��
5. 各種便攜式電子設備的電池管理系統(tǒng)(BMS��