SI9433BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的 TO-263-3L 封裝,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠滿(mǎn)足高效率、高性能的需求。
SI9433BDY-T1-GE3 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制以及電池保護(hù)等。由于其出色的電氣性能和可靠性,這款 MOSFET 廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備及通信領(lǐng)域。
型號(hào):SI9433BDY-T1-GE3
封裝:TO-263-3L (DPAK)
工作電壓(Vds):30V
連續(xù)漏極電流(Id):37A
柵源極電壓(Vgs):±20V
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷(Qg):18nC
總功耗(Ptot):25W
工作溫度范圍(Ta):-55°C 至 +150°C
SI9433BDY-T1-GE3 具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),在 10V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下僅為 4.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,柵極電荷 (Qg) 僅為 18nC,減少了開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高電流處理能力,支持高達(dá) 37A 的連續(xù)漏極電流。
4. 小型化封裝,節(jié)省 PCB 空間且便于散熱管理。
5. 工作電壓范圍寬,最大耐壓為 30V,適用于中低壓應(yīng)用場(chǎng)景。
6. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在 -55°C 至 +150°C 的寬溫范圍內(nèi)正常工作。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
SI9433BDY-T1-GE3 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心開(kāi)關(guān)元件。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)開(kāi)關(guān)。
4. 各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)。
5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的充電器和適配器。
6. 通信設(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換。
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
SI9432DY, IRFZ44N, FDP55N06