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SI9433BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/5 10:35:29 查看 閱讀：11

SI9433BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用小型化的 TO-263-3L 封裝，適用于多種功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，能夠滿(mǎn)足高效率、高性能的需求。
　　SI9433BDY-T1-GE3 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制以及電池保護(hù)等。由于其出色的電氣性能和可靠性，這款 MOSFET 廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備及通信領(lǐng)域。

參數(shù)

型號(hào)：SI9433BDY-T1-GE3
　　封裝：TO-263-3L (DPAK)
　　工作電壓(Vds)：30V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：37A
　　柵源極電壓(Vgs)：±20V
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　柵極電荷(Qg)：18nC
　　總功耗(Ptot)：25W
　　工作溫度范圍(Ta)：-55°C 至 +150°C

特性

SI9433BDY-T1-GE3 具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，在 10V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下僅為 4.5mΩ，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度，柵極電荷 (Qg) 僅為 18nC，減少了開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 高電流處理能力，支持高達(dá) 37A 的連續(xù)漏極電流。
　　4. 小型化封裝，節(jié)省 PCB 空間且便于散熱管理。
　　5. 工作電壓范圍寬，最大耐壓為 30V，適用于中低壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　6. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在 -55°C 至 +150°C 的寬溫范圍內(nèi)正常工作。
　　7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

SI9433BDY-T1-GE3 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流電路。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)開(kāi)關(guān)。
　　4. 各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)。
　　5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的充電器和適配器。
　　6. 通信設(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換。
　　7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。

替代型號(hào)

SI9432DY, IRFZ44N, FDP55N06

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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si9433bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 6.2A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SI9433BDY-T1-GE3TR