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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9434BDY-T1-E3

SI9434BDY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 18:37:35 查看 閱讀�2

SI9434BDY-T1-E3是來(lái)自Vishay Siliconix的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型的TSOP6封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合在各種功率管理�(yīng)用中使用�
  該MOSFET主要�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備領(lǐng)�。通過(guò)其優(yōu)秀的電氣性能,能夠有效提升電路效率并降低功��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.7A
  �(dǎo)通電阻:5.8mΩ
  柵極電荷�12nC
  輸入電容�110pF
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=13ns, toff=9ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

SI9434BDY-T1-E3具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,使其非常適合高頻應(yīng)��
  3. 小型化的TSOP6封裝�(shè)�(jì),節(jié)省了PCB空間�
  4. 較寬的工作溫度范�,確保其在多種環(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐受能力,適用于惡劣條件下的�(yīng)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各類需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)的場(chǎng)景中,例如:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. 直流/直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter��
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的背光驅(qū)�(dòng)�
  6. 各種便攜式設(shè)備中的電源管理模��

替代型號(hào)

SI9429DY, SI4470DY

si9434bdy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si9434bdy-t1-e3�(chǎn)�

si9434bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI9434BDY
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 6.3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9434BDY-T1-E3TR