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SI9435BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/9 18:14:24 查看 閱讀:39

SI9435BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 芯片,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件采用小型表面貼裝封裝 (DFN8),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、同步整流以及便攜式電子設(shè)備中的功率管理。
  其先進(jìn)的制造工藝確保了高效率和可靠性,同時支持高頻率操作,從而減小外部元件尺寸并優(yōu)化系統(tǒng)性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:7.1A
  導(dǎo)通電阻(典型值):2.6mΩ
  柵極電荷:10nC
  開關(guān)速度:快速
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝類型:DFN8(3x3mm)

特性

SI9435BDY-T1-GE3 提供了卓越的電氣性能和可靠性。它采用了 Vishay 的先進(jìn)工藝技術(shù),使得該器件具備以下特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 快速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場景,降低開關(guān)損耗。
  3. 小巧的 DFN8 封裝,節(jié)省 PCB 空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化的要求。
  4. 廣泛的工作溫度范圍,保證在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種電路設(shè)計中。
  此外,其高電流承載能力和穩(wěn)健的電氣特性使其成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。

應(yīng)用

SI9435BDY-T1-GE3 主要應(yīng)用于需要高性能功率開關(guān)的場合,具體包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
  2. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)控制。
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
  4. USB-PD 和快充解決方案中的功率路徑管理。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率傳輸。
  6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的適配器和內(nèi)部電源模塊。

替代型號

SI9436DY, IRF7843, AO3400A

si9435bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si9435bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫歐 @ 5.7A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)