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SI9802DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 0:33:16 查看 閱讀：18

SI9802DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝，廣泛用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在高效率的電力電子設(shè)計(jì)中具有優(yōu)異表現(xiàn)。
　　該 MOSFET 的工作電壓范圍寬廣，支持高達(dá) 60V 的漏源極電壓，并具備出色的熱穩(wěn)定性和魯棒性，適用于工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的各種場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源極電壓：60V
　　最大柵源極電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：4.8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
　　柵極電荷：17nC（典型值）
　　開關(guān)速度：快速
　　封裝類型：TO-252 (DPAK)
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

SI9802DY-T1-GE3 具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
　　2. 快速開關(guān)性能，能夠滿足高頻電路設(shè)計(jì)需求。
　　3. 高度可靠的短路耐受能力，增強(qiáng)了器件的耐用性。
　　4. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色設(shè)計(jì)要求。
　　6. 緊湊的 DPAK 封裝形式，便于安裝與散熱設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

該 MOSFET 可應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)或同步整流器。
　　2. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的負(fù)載控制。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。
　　4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的負(fù)載開關(guān)和過流保護(hù)。
　　5. 電信設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。
　　6. 各種便攜式設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換方案。

替代型號(hào)

SI9803DY, SI4486DY, FDP018N06L

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