SI9804DY是Vishay Siliconix公司生產的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TSSOP6封裝,具有較低的導通電阻和高開關速度,適合于需要高效能和低功耗的應用場景。SI9804DY廣泛用于DC-DC轉換器、負載開關、電機驅動以及電池供電設備中。
其設計旨在優(yōu)化性能表現(xiàn),確保在高頻工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流:1.9A
導通電阻(典型值):25mΩ
總柵極電荷:10nC
導通延遲時間:7ns
關斷延遲時間:5ns
工作結溫范圍:-55℃至150℃
SI9804DY具有非常低的導通電阻,這使得它在功率轉換應用中能夠減少傳導損耗,從而提高效率。
它的快速開關速度有助于降低開關損耗,非常適合高頻應用。
此外,該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性,在極端溫度條件下仍能保持可靠的性能表現(xiàn)。
由于采用了小型化封裝技術,這款MOSFET可以有效節(jié)省PCB空間,為設計者提供更大的靈活性。
同時,其出色的電氣特性使其成為許多高性能電子系統(tǒng)中的理想選擇。
SI9804DY適用于多種電力電子應用領域,包括但不限于以下方面:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流器
2. 便攜式電子設備中的負載開關
3. 消費類電子產品中的電機控制
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護電路
5. 各種工業(yè)自動化設備中的信號切換
6. 數(shù)據(jù)通信設備中的高效功率管理模塊
這些應用場合都得益于其低導通電阻、高效率及緊湊尺寸等優(yōu)勢。
SI4463DY, SI4481DY, BSC019N06NS