SI9806DY-T1-E3是Vishay Siliconix推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用TrenchFET Gen III技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其小型化的封裝形式(TSOP6)使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流:2.7A
最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓:±20V
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
總柵極電荷:8nC
輸入電容:980pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
SI9806DY-T1-E3采用了先進(jìn)的TrenchFET工藝,具備以下特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠確保在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
4. 小型TSOP6封裝,節(jié)省PCB空間,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)布局。
5. 提供優(yōu)異的電氣性能與可靠性,適用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備及通信系統(tǒng)等領(lǐng)域。
SI9806DY-T1-E3廣泛應(yīng)用于多種功率管理場(chǎng)景,包括但不限于:
1. 筆記本電腦和平板電腦中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 用于服務(wù)器和通信設(shè)備的負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)模塊。
3. 各類(lèi)便攜式電子產(chǎn)品的電源管理單元。
4. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流電路。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電池管理與電機(jī)控制。
6. 高效能電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)。
SI9806AL-T1-E3
SIH55N30E-D
IRLZ44N