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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 14:31:43 查看 閱讀�11

SI9926BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET 芯片,主要用于高效能開關和功率管理應�。該芯片具有低導通電�、快速開關速度和出色的熱性能,非常適合需要高效率和高可靠性的電路設計。其封裝形式� TSSOP-6(Thin Shrink Small Outline Package),有助于節(jié)� PCB 空間并提升散熱性能�
  該器件的工作電壓范圍較廣,能夠承受較高的漏源電壓,并具備較低的柵極電荷特性,使得其在高頻開關應用中表�(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�5.8A
  導通電阻:45mΩ
  柵極電荷�10nC
  總電容:220pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on))保證了更小的傳導損耗,提高了系�(tǒng)效率�
  2. 高速開關能力使其適用于高頻 DC-DC 轉換器和其他開關模式電源(SMPS)應用�
  3. 支持寬范圍的工作溫度,增強了其在惡劣�(huán)境下的可靠��
  4. 小型化封裝設計(TSSOP-6)不僅節(jié)約空�,還改善了散熱性能�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設備制造需��

應用

1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
  2. 用于電機驅動器中的高速切換控��
  3. LED 驅動器中的負載開��
  4. 各類工業(yè)控制和汽車電子系�(tǒng)的功率管理模塊�
  5. 電池保護電路以及負載均衡電路中的關鍵組件�

替代型號

SI9927DY, IRF7407, FDMC880P

si9926bdy-t1-e3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si9926bdy-t1-e3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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si9926bdy-t1-e3�(chǎn)�

si9926bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI9926BDY
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8.2A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.14W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9926BDY-T1-E3TR