SI9926BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET 芯片,主要用于高效能開關和功率管理應�。該芯片具有低導通電�、快速開關速度和出色的熱性能,非常適合需要高效率和高可靠性的電路設計。其封裝形式� TSSOP-6(Thin Shrink Small Outline Package),有助于節(jié)� PCB 空間并提升散熱性能�
該器件的工作電壓范圍較廣,能夠承受較高的漏源電壓,并具備較低的柵極電荷特性,使得其在高頻開關應用中表�(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.8A
導通電阻:45mΩ
柵極電荷�10nC
總電容:220pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on))保證了更小的傳導損耗,提高了系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能力使其適用于高頻 DC-DC 轉換器和其他開關模式電源(SMPS)應用�
3. 支持寬范圍的工作溫度,增強了其在惡劣�(huán)境下的可靠��
4. 小型化封裝設計(TSSOP-6)不僅節(jié)約空�,還改善了散熱性能�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設備制造需��
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
2. 用于電機驅動器中的高速切換控��
3. LED 驅動器中的負載開��
4. 各類工業(yè)控制和汽車電子系�(tǒng)的功率管理模塊�
5. 電池保護電路以及負載均衡電路中的關鍵組件�
SI9927DY, IRF7407, FDMC880P