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SI9926DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/8 18:55:52 查看 閱讀:26

SI9926DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換等場景。其出色的導(dǎo)通電阻性能和較低的柵極電荷使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
  該型號屬于 Si9926 系列,適用于需要高效率和低功耗的設(shè)計(jì)方案。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:47A
  導(dǎo)通電阻(典型值):5.5mΩ
  柵極電荷:17nC
  總電容:1480pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-252

特性

SI9926DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 較低的柵極電荷(Qg)支持高頻開關(guān)操作,適合開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
  3. 高電流處理能力(高達(dá) 47A 連續(xù)漏極電流),滿足大功率需求。
  4. 寬工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),確保在惡劣環(huán)境下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保設(shè)計(jì)。
  6. 小型化封裝(TO-252),節(jié)省 PCB 空間。

應(yīng)用

該 MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級元件。
  4. 各類負(fù)載切換應(yīng)用,例如電池管理系統(tǒng)(BMS)和配電單元(PDU)。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。

替代型號

IRFZ44N, SI7476DP, FDP5500

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