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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9933ADY-T1-GE3

SI9933ADY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:16:34 查看 閱讀�21

SI9933ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體管。該器件采用� TrenchFET 第三代技�(shù),能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率的�(kāi)�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換電路和�(fù)載切換應(yīng)用中�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封裝,具有出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):47A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.2mΩ
  柵極電荷(Qg):56nC
  輸入電容(Ciss):2900pF
  輸出電容(Coss):180pF
  反向傳輸電容(Crss):72pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI9933ADY-T1-GE3 提供了超低的�(dǎo)通電�,僅� 2.2mΩ,從而顯著降低了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
  該器件具備快速開(kāi)�(guān)能力,其柵極電荷較低,僅� 56nC,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
  采用 Vishay � TrenchFET 第三代技�(shù)制�,保證了更高的可靠性和更好的熱性能�
  由于采用� PowerPAK SO-8 封裝,該器件具備良好的電氣隔離特性和低寄生電�,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  此外,它還支持高�(dá) 175� 的結(jié)溫操�,非常適合高溫環(huán)境下的應(yīng)用�

�(yīng)�

SI9933ADY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電池保護(hù)電路等場(chǎng)��
  在電源管理領(lǐng)�,它可以用于同步整流電路和降壓或升壓�(zhuǎn)換器中�
  �(duì)于消�(fèi)類電子設(shè)�,如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快充模塊�,該器件也因其高效能而成為理想選��
  此外,在工業(yè)自動(dòng)化和汽車電子�(lǐng)�,例如電�(dòng)車窗控制�、LED �(qū)�(dòng)器等,也有廣泛應(yīng)��

替代型號(hào)

SI9934ADY-T1-GE3, SI9932ADY-T1-GE3

si9933ady-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)