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SI9933BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/30 23:07:16 查看 閱讀:17

SI9933BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的開關(guān)性能,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263 (DPAK),能夠提供卓越的散熱性能。
  該 MOSFET 的典型應(yīng)用場景包括 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動、電池保護(hù)以及工業(yè)自動化中的功率管理模塊。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:28A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.7mΩ(在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷:56nC
  開關(guān)速度:快速
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:TO-263 (DPAK)
  邏輯電平兼容:支持

特性

SI9933BDY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在高頻開關(guān)條件下減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 高電流承載能力,適合大功率應(yīng)用。
  3. 快速開關(guān)特性,有助于降低開關(guān)損耗并優(yōu)化動態(tài)性能。
  4. 寬工作溫度范圍,使其適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的工業(yè)和汽車應(yīng)用。
  5. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),確保在汽車級應(yīng)用中的可靠性。
  6. 小巧且高效的 DPAK 封裝設(shè)計,簡化了 PCB 布局并增強(qiáng)了熱管理性能。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動和電池管理。
  3. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  4. 電信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
  5. 筆記本電腦和移動設(shè)備適配器中的同步整流解決方案。

替代型號

SIH9933DN, IRF7733TRPBF, FDP5500NL

si9933bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
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si9933bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓20 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 12 V
  • 漏極連續(xù)電流3.6 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)60 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散1.1 W
  • 工廠包裝數(shù)量2500
  • 零件號別名SI9933BDY-GE3