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SI9933BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 23:07:16 查看 閱讀�17

SI9933BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體管。該器件采用� TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的開關(guān)性能,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� TO-263 (DPAK),能夠提供卓越的散熱性能�
  � MOSFET 的典型應(yīng)用場景包� DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�、電池保�(hù)以及工業(yè)自動化中的功率管理模��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.7mΩ(在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�56nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-263 (DPAK)
  邏輯電平兼容:支�

特�

SI9933BDY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠在高頻開關(guān)條件下減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用�
  3. 快速開�(guān)特�,有助于降低開關(guān)損耗并�(yōu)化動�(tài)性能�
  4. 寬工作溫度范�,使其適用于�(yán)苛環(huán)境下的工�(yè)和汽車應(yīng)��
  5. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在汽車級應(yīng)用中的可靠��
  6. 小巧且高效的 DPAK 封裝�(shè)�,簡化了 PCB 布局并增�(qiáng)了熱管理性能�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)�(qū)動和電池管理�
  3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 筆記本電腦和移動�(shè)備適配器中的同步整流解決方案�

替代型號

SIH9933DN, IRF7733TRPBF, FDP5500NL

si9933bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si9933bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓20 V
  • �/源擊穿電�+/- 12 V
  • 漏極連續(xù)電流3.6 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)60 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.1 W
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 零件號別�SI9933BDY-GE3