時間：2025/5/30 23:07:16
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SI9933BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的開關(guān)性能，適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263 (DPAK)，能夠提供卓越的散熱性能。
該 MOSFET 的典型應(yīng)用場景包括 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動、電池保護(hù)以及工業(yè)自動化中的功率管理模塊。
最大漏源電壓：40V
連續(xù)漏極電流：28A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：2.7mΩ（在 Vgs=10V 時）
柵極電荷：56nC
開關(guān)速度：快速
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：TO-263 (DPAK)
邏輯電平兼容：支持
SI9933BDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠在高頻開關(guān)條件下減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
2. 高電流承載能力，適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)特性，有助于降低開關(guān)損耗并優(yōu)化動態(tài)性能。
4. 寬工作溫度范圍，使其適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的工業(yè)和汽車應(yīng)用。
5. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，確保在汽車級應(yīng)用中的可靠性。
6. 小巧且高效的 DPAK 封裝設(shè)計，簡化了 PCB 布局并增強(qiáng)了熱管理性能。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動和電池管理。
3. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 電信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 筆記本電腦和移動設(shè)備適配器中的同步整流解決方案。
SIH9933DN, IRF7733TRPBF, FDP5500NL
