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SI9933DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 17:57:07 查看 閱讀:33

SI9933DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強型 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,非常適合用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機驅(qū)動等應(yīng)用。其封裝形式為 TO-252 (DPAK),能夠有效提高散熱性能并簡化 PCB 布局設(shè)計。
  該型號的后綴 -T1-GE3 表示 Vishay 的第三代產(chǎn)品優(yōu)化工藝,進一步提升了器件的效率和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:8.7A
  導(dǎo)通電阻(典型值):4.5mΩ
  柵極閾值電壓:1.2V
  工作溫度范圍:-55°C 至 150°C
  總功耗:1.6W
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  存儲溫度范圍:-65°C 至 175°C

特性

SI9933DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可以降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場合。
  3. 支持低至 1.2V 的柵極驅(qū)動電壓,適合電池供電設(shè)備。
  4. 提供強大的雪崩能力和 ESD 保護功能,增強了器件的耐用性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),并且采用無鉛封裝,環(huán)保且安全。
  6. 廣泛的工作溫度范圍使其適用于各種惡劣環(huán)境下的電子設(shè)備。
  7. 第三代工藝改進顯著降低了熱阻,提高了功率密度。

應(yīng)用

這款 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 便攜式電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)和電池管理電路。
  3. 小型電機驅(qū)動和 LED 驅(qū)動器的開關(guān)元件。
  4. 通信設(shè)備中的信號調(diào)節(jié)和功率分配。
  5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的繼電器替代和功率轉(zhuǎn)換模塊。
  6. 汽車電子中需要高效能和高可靠性的場景,例如電動座椅控制或雨刷系統(tǒng)。

替代型號

SI9932DY, SI4447DY, FDP5570N

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