時間：2025/5/8 17:57:07
閱讀：33
SI9933DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強型 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，非常適合用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機驅(qū)動等應(yīng)用。其封裝形式為 TO-252 (DPAK)，能夠有效提高散熱性能并簡化 PCB 布局設(shè)計。
該型號的后綴 -T1-GE3 表示 Vishay 的第三代產(chǎn)品優(yōu)化工藝，進一步提升了器件的效率和可靠性。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：8.7A
導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
柵極閾值電壓：1.2V
工作溫度范圍：-55°C 至 150°C
總功耗：1.6W
封裝類型：TO-252 (DPAK)
存儲溫度范圍：-65°C 至 175°C
SI9933DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可以降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持高頻應(yīng)用場合。
3. 支持低至 1.2V 的柵極驅(qū)動電壓，適合電池供電設(shè)備。
4. 提供強大的雪崩能力和 ESD 保護功能，增強了器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并且采用無鉛封裝，環(huán)保且安全。
6. 廣泛的工作溫度范圍使其適用于各種惡劣環(huán)境下的電子設(shè)備。
7. 第三代工藝改進顯著降低了熱阻，提高了功率密度。
這款 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 便攜式電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)和電池管理電路。
3. 小型電機驅(qū)動和 LED 驅(qū)動器的開關(guān)元件。
4. 通信設(shè)備中的信號調(diào)節(jié)和功率分配。
5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的繼電器替代和功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 汽車電子中需要高效能和高可靠性的場景，例如電動座椅控制或雨刷系統(tǒng)。
SI9932DY, SI4447DY, FDP5570N
