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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 19:19:35 查看 閱讀�15

SI9934BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。其封裝形式� Hot FET? PowerPAK? 8x8 封裝(TO-268-7�,適合用于需要高效能和散熱性能的應(yīng)用場(chǎng)��
  � MOSFET 主要用于開關(guān)電源、DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�,其出色的電氣特性和熱性能使其成為高性能�(shè)�(jì)的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.0mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關(guān)速度:超快恢�(fù)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:Hot FET? PowerPAK? 8x8

特�

SI9934BDY-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保在高電流應(yīng)用中降低功耗并提高效率�
  2. 高雪崩能力增�(qiáng)了器件的耐用��
  3. 采用� Vishay � TrenchFET 第三代技�(shù),能夠在小尺寸封裝中提供卓越的性能�
  4. 高效的散熱設(shè)�(jì)使其非常適合高功率密度應(yīng)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并支持�(wú)鉛焊接工��
  6. 快速開�(guān)特性減少了開關(guān)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
  這些特點(diǎn)� SI9934BDY-T1-E3 成為多種工業(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用中的理想選��

�(yīng)�

SI9934BDY-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器
  3. ORing 二極管替代方�
  4. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
  5. 電池保護(hù)電路
  6. 電信和服�(wù)器電源模�
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)�
  由于其強(qiáng)大的電流承載能力和低�(dǎo)通電�,這款 MOSFET 特別適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SIH9934DDY-T1-E3, IRF7734, AO6604

si9934bdy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si9934bdy-t1-e3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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si9934bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI9934BDY
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 6.4A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9934BDY-T1-E3TR