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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 17:15:36 查看 閱讀�14

SI9936BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電路。其封裝形式� ThinPAK 5x6,具備緊湊的尺寸和良好的散熱性能�
  � MOSFET 的主要用途包� DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、同步整流以及電池供電設(shè)備中的功率管理電路等。通過�(yōu)化的制造工藝和先�(jìn)的封裝技�(shù),SI9936BDY-T1-GE3 可以在高效率和高可靠性要求的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.3mΩ
  柵極電荷�27nC
  輸入電容�1480pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:ThinPAK 5x6

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻操作環(huán)��
  4. 小巧� ThinPAK 5x6 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  5. �(yōu)異的熱性能,確保在高功率密度設(shè)�(jì)中保持穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 寬工作溫度范圍,能夠在極端環(huán)境下可靠工作�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)元件�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器中的功率控��
  5. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電器設(shè)�(jì)�
  7. 汽車電子中的輔助功率管理單元�

替代型號(hào)

SI9936ADY-T1-GE3
  SIH310AD
  STP28NF06L

si9936bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si9936bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)