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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 13:31:06 查看 閱讀�32

SI9945BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,非常適合用于高頻開�(guān)�(yīng)�、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(shè)備等場合�
  其設(shè)�(jì)�(yōu)化了功率密度和效�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)性能。同�(shí),該型號(hào)還具備出色的熱穩(wěn)定性和耐用�,能夠在苛刻的工作條件下保持可靠的運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�6nC(典型值)
  輸入電容�1230pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝類型:TOLL

特�

SI9945BDY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低傳�(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)的整體效��
  2. 高電流處理能�,使其適用于大功率應(yīng)用�
  3. 采用 Vishay � TrenchFET? 第三代技�(shù),確保了卓越的開�(guān)特性和可靠��
  4. 小巧� TOLL 封裝,節(jié)省了 PCB 空間,并支持表面貼裝工藝(SMD),便于自動(dòng)化生�(chǎn)和組��
  5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種工業(yè)�(huán)境和汽車級應(yīng)用需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

SI9945BDY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率因數(shù)校正(PFC)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,例如電�(dòng)車和�(chǔ)能設(shè)備中的保�(hù)和充放電管理�
  5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��

替代型號(hào)

SIH9945ADY-E3, SIH9945BDY-E3

si9945bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si9945bdy-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si9945bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫歐 @ 4.3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds665pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)