時(shí)間：2025/4/27 13:31:06
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SI9945BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，非常適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電池供電設(shè)備等場合。
其設(shè)計(jì)優(yōu)化了功率密度和效率，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)性能。同時(shí)，該型號(hào)還具備出色的熱穩(wěn)定性和耐用性，能夠在苛刻的工作條件下保持可靠的運(yùn)行。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：28A
導(dǎo)通電阻：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
柵極電荷：6nC（典型值）
輸入電容：1230pF（典型值）
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：TOLL
SI9945BDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以顯著降低傳導(dǎo)損耗，從而提升系統(tǒng)的整體效率。
2. 高電流處理能力，使其適用于大功率應(yīng)用。
3. 采用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技術(shù)，確保了卓越的開關(guān)特性和可靠性。
4. 小巧的 TOLL 封裝，節(jié)省了 PCB 空間，并支持表面貼裝工藝（SMD），便于自動(dòng)化生產(chǎn)和組裝。
5. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)多種工業(yè)環(huán)境和汽車級應(yīng)用需求。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
SI9945BDY-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和功率因數(shù)校正（PFC）。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器控制。
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS），例如電動(dòng)車和儲(chǔ)能設(shè)備中的保護(hù)和充放電管理。
5. 各類消費(fèi)電子產(chǎn)品的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
6. 工業(yè)自動(dòng)化和通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。
SIH9945ADY-E3, SIH9945BDY-E3
