SI9945BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,非常適合用于高頻開�(guān)�(yīng)�、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(shè)備等場合�
其設(shè)�(jì)�(yōu)化了功率密度和效�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)性能。同�(shí),該型號(hào)還具備出色的熱穩(wěn)定性和耐用�,能夠在苛刻的工作條件下保持可靠的運(yùn)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�6nC(典型值)
輸入電容�1230pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TOLL
SI9945BDY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低傳�(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)的整體效��
2. 高電流處理能�,使其適用于大功率應(yīng)用�
3. 采用 Vishay � TrenchFET? 第三代技�(shù),確保了卓越的開�(guān)特性和可靠��
4. 小巧� TOLL 封裝,節(jié)省了 PCB 空間,并支持表面貼裝工藝(SMD),便于自動(dòng)化生�(chǎn)和組��
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種工業(yè)�(huán)境和汽車級應(yīng)用需��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
SI9945BDY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率因數(shù)校正(PFC)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,例如電�(dòng)車和�(chǔ)能設(shè)備中的保�(hù)和充放電管理�
5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
6. 工業(yè)自動(dòng)化和通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��
SIH9945ADY-E3, SIH9945BDY-E3