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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI9953ADY-T1-GE3

SI9953ADY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/10 12:27:20 查看 閱讀�8

SI9953ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,非常適合用于高效率電源�(zhuǎn)換、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。其封裝形式為表面貼裝的 TinySOT23-6L,有助于節(jié)� PCB 空間�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ
  柵極電荷�11nC
  總電容(Ciss):172pF
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝類型:TinySOT23-6L

特�

SI9953ADY-T1-GE3 的主要特性包括低�(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其柵極電荷較低,從而提高了開關(guān)速度并減少了開關(guān)損�。器件的超小型封裝使其非常適合空間受限的�(yīng)用場景,同時(shí)保持了卓越的熱性能和電氣性能�
  � MOSFET 具有快速的開關(guān)速度和低寄生電感,可有效降低電磁干擾 (EMI) 并提高整體系�(tǒng)�(wěn)定�。它還支持高頻操�,適用于同步整流、電池保�(hù)、多相控制器等領(lǐng)域�

�(yīng)�

這款 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中。具體應(yīng)用包括但不限于:
  - 筆記本電腦和平板電腦中的 DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 移動(dòng)�(shè)備的�(fù)載開�(guān)
  - 便攜式設(shè)備的電池管理
  - LED �(qū)�(dòng)電路
  - 同步整流�(shè)�(jì)
  - 小型化電源適配器和充電器

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