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SI9955DY 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 16:10:07 查看 閱讀:31

SI9955DY是Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用SO-8封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等場景。其設(shè)計(jì)特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和高效率,在消費(fèi)電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域有著廣泛的用途。
  SI9955DY的工作電壓范圍為30V,能夠承受較高的漏源電壓,同時(shí)具有快速開關(guān)特性和較低的柵極電荷,使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±12V
  連續(xù)漏極電流(Id):7.6A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,在Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷(Qg):12nC (典型值)
  總電容(Ciss):455pF (典型值)
  工作溫度范圍(Tj):-55°C to +175°C

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低功率損耗并提升效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻電路設(shè)計(jì)。
  3. 小型化SO-8封裝,便于PCB布局和散熱管理。
  4. 耐熱性能強(qiáng),能夠在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
  5. 提供了良好的靜電防護(hù)能力(ESD Protection),提升了器件的可靠性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  3. 電池保護(hù)和負(fù)載切換。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器應(yīng)用。
  5. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號隔離與驅(qū)動(dòng)控制。

替代型號

SI4425DY, IRF7832, AO3400

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si9955dy參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 3A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds345pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9955DYTR