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SI9955DY 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 16:10:07 查看 閱讀�31

SI9955DY是Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用SO-8封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高效�,在消費(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域有著廣泛的用途�
  SI9955DY的工作電壓范圍為30V,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)具有快速開�(guān)特性和較低的柵極電�,使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�12V
  連續(xù)漏極電流(Id)�7.6A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在Vgs=10V�(shí))
  柵極電荷(Qg)�12nC (典型�)
  總電�(Ciss)�455pF (典型�)
  工作溫度范圍(Tj)�-55°C to +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低功率損耗并提升效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻電路設(shè)�(jì)�
  3. 小型化SO-8封裝,便于PCB布局和散熱管��
  4. 耐熱性能�(qiáng),能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工��
  5. 提供了良好的靜電防護(hù)能力(ESD Protection),提升了器件的可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電池保護(hù)和負(fù)載切��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器應(yīng)��
  5. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號隔離與�(qū)�(dòng)控制�

替代型號

SI4425DY, IRF7832, AO3400

si9955dy推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si9955dy資料 更多>

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  • SI9955DY
  • Dual N-Channel Enhancement Mode MOSF...
  • FAIRCHILD&nbs...
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si9955dy參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds345pF @ 15V
  • 功率 - 最�900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9955DYTR