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SI9986DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/27 13:41:32 查看 閱讀：36

SI9986DY-T1-E3 是一款基于硅技術(shù)的 N 灃道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel MOSFET），由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，廣泛用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載切換等場(chǎng)景。
　　該型號(hào)采用了 Vishay 的 TrenchFET? 第四代技術(shù)，顯著降低了導(dǎo)通電阻和柵極電荷，從而提高了效率并減少了功率損耗。

參數(shù)

類型：N-Channel MOSFET
　　封裝：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源電壓 V(DSS)：60V
　　最大連續(xù)漏極電流 I(D)：38A
　　導(dǎo)通電阻 R(DS(on))：4.5mΩ（在 V(GS)=10V 時(shí)）
　　柵極電荷 Q(G)：17nC
　　總功耗 P(TOT)：225W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

SI9986DY-T1-E3 提供了出色的電氣性能，特別是在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其關(guān)鍵特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（4.5mΩ），可有效降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，得益于較小的柵極電荷（17nC）。
　　3. 高電流處理能力（38A），適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 寬工作溫度范圍（-55℃ 至 +175℃），適合各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
　　5. 小型化設(shè)計(jì)（TO-252 封裝），節(jié)省印刷電路板空間。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛。

應(yīng)用

SI9986DY-T1-E3 常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　3. 計(jì)算機(jī)及服務(wù)器中的負(fù)載切換。
　　4. 電池保護(hù)電路中的高側(cè)或低側(cè)開(kāi)關(guān)。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)調(diào)節(jié)。
　　6. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。

替代型號(hào)

SIH988DU-E3, SI9890DY-E3

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si9986dy-t1-e3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān)
  • 系列-
  • 類型半橋
  • 輸入類型非反相
  • 輸出數(shù)2
  • 導(dǎo)通狀態(tài)電阻-
  • 電流 - 輸出 / 通道1A
  • 電流 - 峰值輸出1.5A
  • 電源電壓3.8 V ~ 13.2 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9986DY-T1-E3TR