SI9986DY-T1-E3 是一款基于硅技術(shù)的 N 灃道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel MOSFET),由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),廣泛用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載切換等場(chǎng)景。
該型號(hào)采用了 Vishay 的 TrenchFET? 第四代技術(shù),顯著降低了導(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了效率并減少了功率損耗。
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓 V(DSS):60V
最大連續(xù)漏極電流 I(D):38A
導(dǎo)通電阻 R(DS(on)):4.5mΩ(在 V(GS)=10V 時(shí))
柵極電荷 Q(G):17nC
總功耗 P(TOT):225W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
SI9986DY-T1-E3 提供了出色的電氣性能,特別是在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其關(guān)鍵特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ),可有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,得益于較小的柵極電荷(17nC)。
3. 高電流處理能力(38A),適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 寬工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),適合各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
5. 小型化設(shè)計(jì)(TO-252 封裝),節(jié)省印刷電路板空間。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛。
SI9986DY-T1-E3 常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
3. 計(jì)算機(jī)及服務(wù)器中的負(fù)載切換。
4. 電池保護(hù)電路中的高側(cè)或低側(cè)開(kāi)關(guān)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)調(diào)節(jié)。
6. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
SIH988DU-E3, SI9890DY-E3