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SIA517DJ-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 21:08:21 查看 閱讀�17

SIA517DJ-T1-GE3 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于需要高效開�(guān)和功率管理的電路中。其�(shè)計特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、高電流處理能力和出色的熱性能,適用于汽車電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
  � MOSFET 的封裝形式為 TO-263(DPAK�,能夠提供卓越的散熱性能,同時支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,簡化了制造流程并提高了可靠�。由于其堅固的設(shè)計和寬泛的工作電壓范�,SIA517DJ-T1-GE3 成為許多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.9mΩ
  柵極電荷(典型值)�80nC
  總功耗:160W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝類型:TO-263(DPAK�

特�

SIA517DJ-T1-GE3 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力,支持高達(dá) 48A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 良好的熱性能,有助于在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  4. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  5. 寬泛的工作電壓范�,確保在各種電路條件下的可靠操作�
  6. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽車級�(yīng)��
  7. 支持表面貼裝技�(shù),便于自動化生產(chǎn)和大�(guī)模制��

�(yīng)�

SIA517DJ-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 汽車電子 - 包括電動窗、座椅調(diào)節(jié)、雨刷器等電�(jī)�(qū)動電��
  2. 工業(yè)控制 - 如工廠自動化�(shè)備中的開�(guān)電源和逆變��
  3. 通信�(shè)� - 用于電信基站� DC-DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)� - 例如筆記本電腦適配器和游戲機(jī)的電源模��
  5. LED 照明 - 提供高效的功率控制和�(diào)光功��
  6. 太陽能逆變� - �(shí)�(xiàn)太陽能發(fā)電系�(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換和管理�

替代型號

SIA517DQ-T1-GE3, IRF540N, FDP55N06L

sia517dj-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sia517dj-t1-ge3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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sia517dj-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫歐 @ 5A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 8V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds500pF @ 6V
  • 功率 - 最�6.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SC-70-6 �
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SC-70-6 �
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIA517DJ-T1-GE3TR