SIC437AED-T1-GE3 是一款基� Silicon Carbide(碳化硅,SiC)技�(shù)的功� MOSFET 芯片。該芯片采用 TO-247 封裝形式,具有高效率、高頻率和高溫工作能力的特點(diǎn),適合于工業(yè)、汽車以及可再生能源等領(lǐng)域的�(yīng)用。其主要用途是在開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、DC-DC �(zhuǎn)換器和太�(yáng)能逆變器中提供高效的功率轉(zhuǎn)��
型號(hào):SIC437AED-T1-GE3
類型:MOSFET
材料:碳化硅 (SiC)
封裝:TO-247-3L
最大漏源電�(V_DS)�1200V
連續(xù)漏極電流(I_D)�40A
RDS(on)�7.5mΩ(典型值)
柵極閾值電�(V_GS(th))�2.5V � 4.5V
輸入電容(Ciss)�2800pF
反向恢復(fù)�(shí)�(t_rr):~60ns
功耗:�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SIC437AED-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其采用了先�(jìn)� SiC 技�(shù),相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET 具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的開(kāi)�(guān)速度。這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異,并且能夠顯著降低系統(tǒng)的能量損��
由于其出色的耐熱性能和寬禁帶半導(dǎo)體特�,該器件可以在極端環(huán)境下�(yùn)行,例如高溫或高電壓�(chǎng)�。此�,其快速開(kāi)�(guān)能力和零反向恢復(fù)電荷使其非常適合硬開(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)的應(yīng)用�
另外,這款芯片的短路保�(hù)功能增強(qiáng)了其可靠性,同時(shí)其低寄生電感� TO-247 封裝有助于減少開(kāi)�(guān)噪聲并提高整體系�(tǒng)性能�
SIC437AED-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)域,如:
1. 高頻�(kāi)�(guān)電源 (SMPS),包括服�(wù)器電源和通信電源�
2. 太陽(yáng)能逆變器中� DC-AC 功率�(zhuǎn)換部��
3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器及電�(jī)控制器;
4. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)器和變頻��
5. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
6. DC-DC �(zhuǎn)換器模塊,特別是用于�(shù)�(jù)中心和其他高性能�(jì)算設(shè)備的供電部分�
SIC437AEK-T1-GE3, C2M0080120D, FFST120R12KE4