SIC438AED-T1-GE3 是一款基于硅 Carbide(碳化硅)技�(shù)� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于高頻、高效能功率�(zhuǎn)換場�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)以提高散熱性能和可靠�,同�(shí)具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于電�(dòng)汽車充電�(shè)�、太陽能逆變器以及工�(yè)電源等領(lǐng)域�
該型�(hào)中的具體參數(shù)包括:增�(qiáng)型設(shè)�(jì),耐壓高達(dá) 1200V,能夠承受高電壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�;具有極低的 Rds(on) 參數(shù),可以顯著減少傳�(dǎo)損�,從而提升整體效率�
類型:MOSFET
材料:碳化硅 (SiC)
最大漏源電壓:1200 V
最大連續(xù)漏電流:25 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�80 mΩ
柵極電荷�95 nC
開關(guān)頻率:支持高�(dá) 100 kHz
工作溫度范圍�-55 � � +175 �
封裝形式:TO-247-4L
SIC438AED-T1-GE3 的核心優(yōu)勢在于其碳化硅材料的�(yīng)�,這使其具備以下特�(diǎn)�
1. 高耐壓能力�1200V 的額定電壓確保了其在高壓�(huán)境中的可靠運(yùn)行�
2. 低導(dǎo)通電阻:80mΩ 的極� Rds(on) 值可有效降低功率損��
3. 快速開�(guān)速度:由� SiC 材料的特殊性質(zhì),器件能�?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)�(dòng)�,減少了開關(guān)損��
4. 高溫�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬溫范圍內(nèi)正常工作,適�(yīng)各種極端�(huán)��
5. 四腳 TO-247 封裝:提供了額外的Kelvin源極引腳,有助于降低寄生電感影響,�(jìn)一步優(yōu)化性能�
該器件廣泛適用于需要高效率和高頻工作的電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 電動(dòng)汽車充電樁:提供高效的功率轉(zhuǎn)換功�,支持快速充��
2. 太陽能逆變器:利用其低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):在工業(yè)自動(dòng)化中用于精準(zhǔn)控制電機(jī)�(yùn)行狀�(tài)�
4. 不間斷電� (UPS):保證系�(tǒng)的穩(wěn)定供�,并降低能��
5. DC-DC �(zhuǎn)換器:為通信基站等設(shè)備提供高效的直流電壓�(zhuǎn)換方��
SIC438AED-T1-G, C2M0280120D, FFHS10T12W_B11