SIC451ED-T1-GE3 是一款基于硅 carbide(SiC)材料設(shè)�(jì)的高性能 MOSFET 功率晶體�。該器件采用了先�(jìn)� SiC 技�(shù),具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高效能電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及新能源應(yīng)用等�(lǐng)��
這款功率晶體管在高頻工作條件下依然能夠保持較低的�(kāi)�(guān)損耗,同時(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,是�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的�(guān)鍵元��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:16mΩ
柵極電荷�95nC
反向恢復(fù)�(shí)間:80ns
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
SIC451ED-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:� 16mΩ 的導(dǎo)通電阻顯著降低了�(dǎo)通損�,提升了整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:極低的柵極電荷和反向恢�(fù)�(shí)間確保了高速開(kāi)�(guān)操作,減少開(kāi)�(guān)損��
4. 高溫適應(yīng)性:工作�(jié)溫范圍從 -55� � +175�,適合極端溫度條件下的應(yīng)��
5. 熱穩(wěn)定性:SiC 材料本身的優(yōu)異熱傳導(dǎo)性能使其能夠更好地管理熱�,提高長(zhǎng)期可靠性�
6. 小型封裝:采� TO-247-3L 封裝形式,便于安裝且散熱性能�(yōu)越�
SIC451ED-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源:如不間斷電源(UPS�、太�(yáng)能逆變器等�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于高性能伺服�(qū)�(dòng)和工�(yè)電機(jī)控制��
3. 電動(dòng)汽車(chē):適用于�(chē)載充電器(OBC)、DC/DC �(zhuǎn)換器和牽引逆變��
4. 高頻�(kāi)�(guān)電源:為通信�(shè)備和服務(wù)器提供高效的電源解決方案�
5. 新能源領(lǐng)域:�(fēng)能變流器和儲(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
由于其卓越的性能和可靠性,SIC451ED-T1-GE3 成為許多高要求電力電子應(yīng)用的理想選擇�
SIC451ED-T1-E3, SIC451ED-T1-G3