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SIC451ED-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 17:33:21 查看 閱讀：17

SIC451ED-T1-GE3 是一款基于硅 carbide（SiC）材料設(shè)計(jì)的高性能 MOSFET 功率晶體管。該器件采用了先進(jìn)的 SiC 技術(shù)，具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合用于高效能電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及新能源應(yīng)用等領(lǐng)域。
　　這款功率晶體管在高頻工作條件下依然能夠保持較低的開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件。

參數(shù)

最大漏源電壓：1200V
　　連續(xù)漏極電流：45A
　　導(dǎo)通電阻：16mΩ
　　柵極電荷：95nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：80ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +175℃

特性

SIC451ED-T1-GE3 的主要特性包括：
　　1. 高擊穿電壓：支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：僅 16mΩ 的導(dǎo)通電阻顯著降低了導(dǎo)通損耗，提升了整體效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能：極低的柵極電荷和反向恢復(fù)時(shí)間確保了高速開(kāi)關(guān)操作，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 高溫適應(yīng)性：工作結(jié)溫范圍從 -55℃ 到 +175℃，適合極端溫度條件下的應(yīng)用。
　　5. 熱穩(wěn)定性：SiC 材料本身的優(yōu)異熱傳導(dǎo)性能使其能夠更好地管理熱量，提高長(zhǎng)期可靠性。
　　6. 小型封裝：采用 TO-247-3L 封裝形式，便于安裝且散熱性能優(yōu)越。

應(yīng)用

SIC451ED-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 工業(yè)電源：如不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器等。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于高性能伺服驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電機(jī)控制器。
　　3. 電動(dòng)汽車(chē)：適用于車(chē)載充電器（OBC）、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器。
　　4. 高頻開(kāi)關(guān)電源：為通信設(shè)備和服務(wù)器提供高效的電源解決方案。
　　5. 新能源領(lǐng)域：風(fēng)能變流器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　由于其卓越的性能和可靠性，SIC451ED-T1-GE3 成為許多高要求電力電子應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

SIC451ED-T1-E3, SIC451ED-T1-G3

sic451ed-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

sic451ed-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量10,250現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥46.19000剪切帶（CT）3,000 : ￥27.15289卷帶（TR）
  • 系列microBUCK?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 功能降壓
  • 輸出配置正
  • 拓?fù)?/span>降壓
  • 輸出類(lèi)型可調(diào)式
  • 輸出數(shù)1
  • 電壓 - 輸入（最小值）4.5V
  • 電壓 - 輸入（最大值）20V
  • 電壓 - 輸出（最小值/固定）0.3V
  • 電壓 - 輸出（最大值）12V
  • 電流 - 輸出25A
  • 頻率 - 開(kāi)關(guān)300kHz ~ 1.5MHz
  • 同步整流器是
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 封裝/外殼34-PowerWFQFN
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerPAK? MLP34-57