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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIC451ED-T1-GE3

SIC451ED-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 17:33:21 查看 閱讀�17

SIC451ED-T1-GE3 是一款基于硅 carbide(SiC)材料設(shè)�(jì)的高性能 MOSFET 功率晶體�。該器件采用了先�(jìn)� SiC 技�(shù),具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高效能電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及新能源應(yīng)用等�(lǐng)��
  這款功率晶體管在高頻工作條件下依然能夠保持較低的�(kāi)�(guān)損耗,同時(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,是�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的�(guān)鍵元��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻:16mΩ
  柵極電荷�95nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:80ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�

特�

SIC451ED-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� 16mΩ 的導(dǎo)通電阻顯著降低了�(dǎo)通損�,提升了整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:極低的柵極電荷和反向恢�(fù)�(shí)間確保了高速開(kāi)�(guān)操作,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 高溫適應(yīng)性:工作�(jié)溫范圍從 -55� � +175�,適合極端溫度條件下的應(yīng)��
  5. 熱穩(wěn)定性:SiC 材料本身的優(yōu)異熱傳導(dǎo)性能使其能夠更好地管理熱�,提高長(zhǎng)期可靠性�
  6. 小型封裝:采� TO-247-3L 封裝形式,便于安裝且散熱性能�(yōu)越�

�(yīng)�

SIC451ED-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:如不間斷電源(UPS�、太�(yáng)能逆變器等�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于高性能伺服�(qū)�(dòng)和工�(yè)電機(jī)控制��
  3. 電動(dòng)汽車(chē):適用于�(chē)載充電器(OBC)、DC/DC �(zhuǎn)換器和牽引逆變��
  4. 高頻�(kāi)�(guān)電源:為通信�(shè)備和服務(wù)器提供高效的電源解決方案�
  5. 新能源領(lǐng)域:�(fēng)能變流器和儲(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  由于其卓越的性能和可靠性,SIC451ED-T1-GE3 成為許多高要求電力電子應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

SIC451ED-T1-E3, SIC451ED-T1-G3

sic451ed-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

sic451ed-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�10,250�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �46.19000剪切帶(CT�3,000 : �27.15289卷帶(TR�
  • 系列microBUCK?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 功能降壓
  • 輸出配置
  • �?fù)?/span>降壓
  • 輸出�(lèi)�可調(diào)�
  • 輸出�(shù)1
  • 電壓 - 輸入(最小值)4.5V
  • 電壓 - 輸入(最大值)20V
  • 電壓 - 輸出(最小�/固定�0.3V
  • 電壓 - 輸出(最大值)12V
  • 電流 - 輸出25A
  • 頻率 - �(kāi)�(guān)300kHz ~ 1.5MHz
  • 同步整流�
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼34-PowerWFQFN
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? MLP34-57