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時(shí)間：2025/5/28 12:15:15
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SIC462ED-T1-GE3 是一款基于硅 carbide（SiC）技術(shù)的 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于高頻、高效能電力電子系統(tǒng)。該芯片以其高耐壓能力、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度著稱，適用于各種工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的功率轉(zhuǎn)換器和逆變器設(shè)計(jì)。
這種型號(hào)是 To-247 封裝，具有出色的熱性能和電氣特性，能夠滿足嚴(yán)苛的工作條件。通過結(jié)合 SiC 材料的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，SIC462ED-T1-GE3 在效率、可靠性和緊湊性方面為工程師提供了顯著的設(shè)計(jì)靈活性。
最大漏源電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：40A
導(dǎo)通電阻：8mΩ
柵極閾值電壓：3.5V
功耗：16W
工作結(jié)溫范圍：-55℃ to 175℃
封裝類型：TO-247
SIC462ED-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 高耐壓能力，支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓，適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（8mΩ），有效降低傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
3. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗，并提升高頻操作性能。
4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下依然保持高性能和可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級(jí)應(yīng)用，確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 支持寬溫度范圍（-55℃ 至 +175℃），適應(yīng)極端環(huán)境條件。
7. 緊湊型 TO-247 封裝設(shè)計(jì)，便于集成到各類功率模塊中。
SIC462ED-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 新能源汽車的電機(jī)控制器和車載充電器。
2. 工業(yè)領(lǐng)域的不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器和風(fēng)能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
3. 數(shù)據(jù)中心和電信設(shè)備中的高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 高頻軟開關(guān)拓?fù)潆娐�，�?LLC 和相移全橋。
5. 快速充電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理部分。
6. 機(jī)器人技術(shù)和自動(dòng)化設(shè)備中的伺服驅(qū)動(dòng)器和運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)。
SIC462GD-T1-GE3, SIC462FD-T1-GE3
