国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市�(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIC649ACD-T1-GE3

SIC649ACD-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:17:05 查看 閱讀�29

SIC649ACD-T1-GE3 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 芯片,由知名半導(dǎo)體制造商制造。該芯片以其高效�、高頻開�(guān)能力以及出色的熱性能而聞�。它廣泛�(yīng)用于工業(yè)電源、太陽能逆變�、電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景。其封裝形式� TO-247-3,適合表面貼裝和通孔安裝�

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�40A
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�35mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:TO-247-3

特�

SIC649ACD-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá) 1200V 的電壓,適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� 35mΩ � RDS(on),從而減少了傳導(dǎo)損耗,提高了效��
  3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,支持高頻操�,減少開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55� � +175� 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  5. 高可靠性:采用碳化硅材�,具有更高的耐用性和更長(zhǎng)的使用壽��
  6. 小型化設(shè)�(jì):TO-247-3 封裝使得器件在保持高性能的同�(shí),占用較小的空間�

�(yīng)�

這款 SiC MOSFET 可用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:如不間斷電� (UPS) 和電�(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
  2. 太陽能逆變器:提升功率�(zhuǎn)換效率并減小�(shè)備體��
  3. 電動(dòng)車充電設(shè)備:快速充電站中的核心組件�
  4. 通信電源:為基站和其他通信�(shè)施提供高效供��
  5. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、數(shù)�(jù)中心等對(duì)能效要求較高的場(chǎng)��

替代型號(hào)

SIC649ADP-T1-GE3, C2M0040120D, FFTH40R12KE4

sic649acd-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)