SIC649ACD-T1-GE3 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 芯片,由知名半導(dǎo)體制造商制造。該芯片以其高效�、高頻開�(guān)能力以及出色的熱性能而聞�。它廣泛�(yīng)用于工業(yè)電源、太陽能逆變�、電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景。其封裝形式� TO-247-3,適合表面貼裝和通孔安裝�
額定電壓�1200V
額定電流�40A
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�35mΩ
柵極電荷�80nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-247-3
SIC649ACD-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá) 1200V 的電壓,適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:� 35mΩ � RDS(on),從而減少了傳導(dǎo)損耗,提高了效��
3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,支持高頻操�,減少開�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55� � +175� 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
5. 高可靠性:采用碳化硅材�,具有更高的耐用性和更長(zhǎng)的使用壽��
6. 小型化設(shè)�(jì):TO-247-3 封裝使得器件在保持高性能的同�(shí),占用較小的空間�
這款 SiC MOSFET 可用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源:如不間斷電� (UPS) 和電�(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
2. 太陽能逆變器:提升功率�(zhuǎn)換效率并減小�(shè)備體��
3. 電動(dòng)車充電設(shè)備:快速充電站中的核心組件�
4. 通信電源:為基站和其他通信�(shè)施提供高效供��
5. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、數(shù)�(jù)中心等對(duì)能效要求較高的場(chǎng)��
SIC649ADP-T1-GE3, C2M0040120D, FFTH40R12KE4