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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIG20N60P

SIG20N60P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 8:58:08 查看 閱讀�23

SIG20N60P是一款由Semikron(賽米控)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET,主要用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的硅工藝技�(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)�(guān)特�,適用于工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  這款MOSFET的耐壓等級(jí)�600V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)其連續(xù)漏極電流額定值為20A,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)行。此�,SIG20N60P還具備快速開(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  柵極-源極電壓(最大):�20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
  總功耗:250W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

1. 高耐壓能力,支持高�(dá)600V的工作電��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損耗�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  4. 具備�(yōu)良的熱穩(wěn)定�,在較寬的溫度范圍內(nèi)保持高效工作�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),簡(jiǎn)化電路布局并節(jié)省空��
  6. 提供�(guò)流保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠性和安全��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的逆變橋臂元件�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  4. 能量管理系統(tǒng)中的功率變換電路�
  5. 太陽(yáng)能逆變器中的高頻開(kāi)�(guān)組件�
  6. 各類電子�(fù)載的功率�(jí)�(shí)�(xiàn)�
  7. LED�(qū)�(dòng)電源及其他高效電能轉(zhuǎn)換場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFP460, STP20NM60, FDP18N60

sig20n60p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)