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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIHA186N60EF-GE3

SIHA186N60EF-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 12:35:23 查看 閱讀�38

SIHA186N60EF-GE3 是一款高性能� IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模�,由 Semikron 生產(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),專為高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通損�、快速開�(guān)性能以及出色的熱�(wěn)定�。此�,該型號(hào)還集成了軟恢�(fù)二極�,以�(yōu)化電路性能并減少電磁干��
  IGBT 模塊廣泛�(yīng)用于工業(yè)變頻�、不間斷電源(UPS)、太�(yáng)能逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�,能�?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和控制�

參數(shù)

額定電壓�600V
  額定電流�180A
  最大結(jié)溫:175°C
  開關(guān)頻率:高�(dá) 20kHz
  集電�-�(fā)射極飽和電壓:≤2.2V
  總功耗:250W
  存儲(chǔ)溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:SEMITOP M 封裝

特�

SIHA186N60EF-GE3 具有以下顯著特性:
  1. 高效能量�(zhuǎn)換能�,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)��
  2. �(nèi)置軟恢復(fù)二極�,可有效降低開關(guān)噪聲和電磁干��
  3. 良好的熱管理�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 快速開�(guān)性能,有助于提高系統(tǒng)的動(dòng)�(tài)響應(yīng)速度�
  5. 高可靠�,能夠在極端溫度條件下工��
  6. SEMITOP M 封裝提供�(jiān)固耐用的結(jié)�(gòu)和易于安裝的特點(diǎn)�

�(yīng)�

該型�(hào)廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)變頻器:用于�(diào)節(jié)電機(jī)�(zhuǎn)速和扭矩�
  2. 太陽(yáng)能逆變器:將直流電高效�(zhuǎn)化為交流��
  3. 不間斷電源(UPS):為關(guān)鍵設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)�
  4. 電動(dòng)汽車牽引逆變器:控制電動(dòng)�(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
  5. 焊接�(shè)備:提供精確的電流控制以滿足焊接需��
  6. �(fēng)力發(fā)電系�(tǒng):參與風(fēng)力發(fā)電機(jī)的能量轉(zhuǎn)換過��

替代型號(hào)

SKM186GB12E4, SKM186GB12E4T120

siha186n60ef-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

siha186n60ef-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,900�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �22.74000管件
  • 系列EF
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)8.4A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)193 毫歐 @ 9.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)32 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1081 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)156W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220 整包
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包