SIHB17N80AE-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的硅 Carbide (SiC) 技術(shù)制造,具有高效率、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能等特性。這些特點使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高功率密度的設(shè)計。
該 MOSFET 的額定電壓為 1700V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備較低的導(dǎo)通電阻,從而減少了功率損耗并提高了系統(tǒng)效率。此外,其封裝形式通常為 TO-247,便于散熱管理。
額定電壓:1700V
額定電流:8A
導(dǎo)通電阻(典型值):55mΩ
柵極電荷(Qg):30nC
輸入電容(Ciss):1600pF
輸出電容(Coss):80pF
反向恢復(fù)時間(trr):50ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
SIHB17N80AE-GE3 的主要特性包括:
1. 高額定電壓(1700V),適用于高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
3. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
4. 先進的 SiC 技術(shù)確保了更高的效率和更小的尺寸。
5. 能夠在高溫環(huán)境下運行,擴展了其適用范圍。
6. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合長期高負(fù)荷工作。
7. 封裝設(shè)計優(yōu)化以改善散熱性能,支持更高功率密度的應(yīng)用場景。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
2. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
3. 電動汽車(EV)充電站及車載電源系統(tǒng)。
4. 工業(yè)電機驅(qū)動和不間斷電源(UPS)。
5. 高壓電力電子設(shè)備,如固態(tài)繼電器和開關(guān)電源(SMPS)。
由于其卓越的性能和耐用性,它成為許多高壓、高效能需求環(huán)境的理想選擇。
SIHBR17D12M2E-GE3
C2M0160120D
FFNH30T6S