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SIHB17N80AE-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/13 16:56:27 查看 閱讀:23

SIHB17N80AE-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的硅 Carbide (SiC) 技術(shù)制造,具有高效率、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能等特性。這些特點使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高功率密度的設(shè)計。
  該 MOSFET 的額定電壓為 1700V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備較低的導(dǎo)通電阻,從而減少了功率損耗并提高了系統(tǒng)效率。此外,其封裝形式通常為 TO-247,便于散熱管理。

參數(shù)

額定電壓:1700V
  額定電流:8A
  導(dǎo)通電阻(典型值):55mΩ
  柵極電荷(Qg):30nC
  輸入電容(Ciss):1600pF
  輸出電容(Coss):80pF
  反向恢復(fù)時間(trr):50ns
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

SIHB17N80AE-GE3 的主要特性包括:
  1. 高額定電壓(1700V),適用于高壓應(yīng)用場景。
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
  3. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  4. 先進的 SiC 技術(shù)確保了更高的效率和更小的尺寸。
  5. 能夠在高溫環(huán)境下運行,擴展了其適用范圍。
  6. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合長期高負(fù)荷工作。
  7. 封裝設(shè)計優(yōu)化以改善散熱性能,支持更高功率密度的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
  2. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
  3. 電動汽車(EV)充電站及車載電源系統(tǒng)。
  4. 工業(yè)電機驅(qū)動和不間斷電源(UPS)。
  5. 高壓電力電子設(shè)備,如固態(tài)繼電器和開關(guān)電源(SMPS)。
  由于其卓越的性能和耐用性,它成為許多高壓、高效能需求環(huán)境的理想選擇。

替代型號

SIHBR17D12M2E-GE3
  C2M0160120D
  FFNH30T6S

sihb17n80ae-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sihb17n80ae-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量1,000現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥22.98000管件
  • 系列E
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)800 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)15A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)290 毫歐 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)62 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)1260 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)179W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝D2PAK(TO-263)
  • 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB