時間：2025/5/13 16:56:27
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SIHB17N80AE-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用先進的硅 Carbide (SiC) 技術(shù)制造，具有高效率、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能等特性。這些特點使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高功率密度的設(shè)計。
該 MOSFET 的額定電壓為 1700V，能夠承受較高的反向電壓，同時具備較低的導(dǎo)通電阻，從而減少了功率損耗并提高了系統(tǒng)效率。此外，其封裝形式通常為 TO-247，便于散熱管理。
額定電壓：1700V
額定電流：8A
導(dǎo)通電阻（典型值）：55mΩ
柵極電荷（Qg）：30nC
輸入電容（Ciss）：1600pF
輸出電容（Coss）：80pF
反向恢復(fù)時間（trr）：50ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
SIHB17N80AE-GE3 的主要特性包括：
1. 高額定電壓（1700V），適用于高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
3. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。
4. 先進的 SiC 技術(shù)確保了更高的效率和更小的尺寸。
5. 能夠在高溫環(huán)境下運行，擴展了其適用范圍。
6. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合長期高負(fù)荷工作。
7. 封裝設(shè)計優(yōu)化以改善散熱性能，支持更高功率密度的應(yīng)用場景。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
2. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
3. 電動汽車（EV）充電站及車載電源系統(tǒng)。
4. 工業(yè)電機驅(qū)動和不間斷電源（UPS）。
5. 高壓電力電子設(shè)備，如固態(tài)繼電器和開關(guān)電源（SMPS）。
由于其卓越的性能和耐用性，它成為許多高壓、高效能需求環(huán)境的理想選擇。
SIHBR17D12M2E-GE3
C2M0160120D
FFNH30T6S
